适用范围：本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的减薄工艺(以下简称减薄工艺)过程和评价要求。 注： 1 in=2.54 cm。

适用范围：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

适用范围：本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。

适用范围：本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。 本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。

适用范围：本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下，评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法，以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。 本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量，也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能，例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。 本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。

适用范围：本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。

适用范围：本文件定义了一种传输线脉冲（TLP）试验方法，用于评估被测半导体器件的电压电流响应，并考量静电放电（ESD）人体模型（HBM）防护的设计参数。本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP试验技术。本文件不是HBM试验标准（例如IEC 6074926）的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指南，以便提取半导体器件的HBM ESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBM ESD参数的标准测量和程序。

适用范围：本文件规定了宇航用微波集成电路芯片的技术要求、质量保证规定和交货准备。本文件适用于宇航用微波集成电路芯片（以下简称“芯片”)的设计、生产和产品质量保证。

适用范围：本文件描述了4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线电气性能测试和协议测试的测试方法。本文件适用于4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线的器件、板卡、设备、子系统或系统的测试。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权（IP）核质量的评测内容，包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量，包括完备性和可复用性，并不涵盖具体功能和性能的评测。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权(IP)核交付项及推荐格式或语言的要求。本文件适用于模拟/混合信号IP核的测试、交换与集成。

适用范围：本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。 本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

适用范围：本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

适用范围：本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。 本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

适用范围：本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等方面的技术要求和检验方法。 本文件适用于集成电路金属封装外壳（以下简称“外壳”）的研制、生产、交付和使用。

适用范围：本文件规定了集成电路知识产权(IP)核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。 本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

适用范围：本文件提供了模拟/混合信号知识产权(IP)核相关文档结构，包括IP核简介、功能规范、设计手册、功能及物理验证文档和应用手册。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者组织撰写模拟/混合信号IP核相关文档、使用者和第三方评价模拟/混合信号IP核文档的质量控制。注： 此处第三方是指在IP核交易过程中进行评测和提供服务的独立机构。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。

适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。