GB/Z 43510-2023 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南

GB/Z 43510-2023 Integrated circuit TSV 3D packaging reliability test methods guideline

国家标准 中文简体 现行 页数:8页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/Z 43510-2023
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-04-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本文件提供了硅通孔(TSV)三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。
本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

发布历史

研制信息

起草单位:
中国电子技术标准化研究院、电子科技大学、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所
起草人:
李锟、彭博、肖克来提、吴道伟、周斌、高见头、李文昌
出版信息:
页数:8页 | 字数:17 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS31.200

CCSL55

中华人民共和国国家标准化指导性技术文件

/—

GBZ435102023

集成电路TSV三维封装可靠性

试验方法指南

InteratedcircuitTSV3Dackainreliabilittestmethodsuideline

gpggyg

2023-12-28发布2024-04-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBZ435102023

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

(/)。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会SACTC78归口

:、、

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院电子科技大学华进半导体封装先导技术研发中心

、、、

有限公司中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所工业和信息化部电子第五研究所中国

、。

科学院微电子研究所中国科学院半导体研究所

:、、、、、、。

本文件主要起草人李锟彭博肖克来提吴道伟周斌高见头李文昌

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