适用范围：主要技术内容:本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体

适用范围：范围:本文件规定了基于混合集成的系统封装工艺的通则、设计、分类和工艺过程; 主要技术内容:本文件适用于基于混合集成的系统封装的工艺编制

适用范围：主要技术内容:本标准适用于各类人工智能算力芯片的性能评估，包括但不限于GPU（图形处理单元）、TPU（张量处理单元）、FPGA（现场可编程门阵列）等。无论是用于数据中心的高性能计算芯片，还是用于边缘计算的低功耗芯片，均可参照本标准进行评估

适用范围：主要技术内容:本标准规定了防静电阻燃芯片托盘的术语、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和储存等。本标准适用于防静电阻燃芯片托盘的研发和生产

适用范围：主要技术内容:本标准旨在为高密度异构集成芯片封装提供全面的技术指导。本标准详细规定了封装过程中的零部件要求、封装准备、倒装互连、封装成型及质量验收等环节的技术细节与操作规范，确保封装的高效性与可靠性。同时，对标志、标签、包装和档案管理等方面也提出了明确要求，以保障产品的可追溯性和质量控制。本标准的实施将推动芯片封装行业的标准化与高质量发展

适用范围：主要技术内容:本标准规定了 NAND 型固态存储主控芯片的技术要求、测试方法、检验规则及标志包装等内容，适用于其设计、生产和检验。技术要求涵盖外观、功能、性能、可靠性、兼容性、电气特性和适应性等方面，如功能上需具备核心处理、接口控制和存储管理能力；性能对读写速度、延迟等有具体指标；可靠性涉及纠错、寿命、掉电保护等。测试方法包括各技术要求对应的试验，检验规则分出厂和型式检验。还对标志、包装、运输和贮存作出规定

适用范围：范围:本文件规定了集成电路铜镍硅引线框架材料的分类和要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件、订货单内容。 本文件适用于集成电路铜镍硅引线框架材料; 主要技术内容:本文件规定了集成电路铜镍硅引线框架材料的分类和要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件、订货单内容。本文件适用于集成电路铜镍硅引线框架材料

适用范围：主要技术内容:本文件规定了系统级/集成芯片设计中的芯粒/芯片的逻辑互联的网表格式。本文件适用于系统级/集成芯片设计中的逻辑互联表示、连接完整性检查、多物理场分析等

适用范围：主要技术内容:本文件规定了统一的形式验证指引技术规范，用于表述数字电路在实现和与优化过程中的发生的电路变换并加速验证过程。本文件适用于数字实现工具与形式验证工具之间传递指引信息

适用范围：范围:本文件规定了工业MEMS测试平台（以下简称平台）的建设要求、核心组成、测试要求等内容。 本文件适用于工业类MEMS器件的基础性测试、验收工作; 主要技术内容:本文件规定了工业MEMS测试平台（以下简称平台）的建设要求、核心组成、测试要求等内容

适用范围：范围:本文件适用于动力电池系用集成母排的热压合工艺; 主要技术内容:本文件规定了集成母排（CCS）热压合工艺规范的总体要求、工艺流程、具体方法、技术要求与检测方法等内容

适用范围：范围:本文件适用于动力电池系统用集成母排的电气性能测试，其他类型集成母排可参考执行; 主要技术内容:本文件规定了集成母排（CCS）电气性能的测试人员与机构要求、测试条件、测试步骤和测试报告等内容

适用范围：本文件规定了合成频率源的定义、技术要求和检验规则、标志，描述了测试方法。 本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计、制造的合成频率源。

适用范围：范围:本文件规定了集成电路金属封装外壳的性能要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体集成电路金属外壳，混合集成电路金属外壳可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了集成电路金属封装外壳的性能要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体集成电路金属外壳，混合集成电路金属外壳可参照执行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了系统级封装（SiP）的一般要求、材料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于芯片倒装、引线键合芯片、无源器件等封装的设计、生产、检验以及验收

适用范围：本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器，其他类型的发射器和接收器可参考使用。

适用范围：本文件规定了直接用1 Ω阻性探头测量射频(RF)电流和150 Ω耦合网络测量RF电压以测量集成电路(IC)传导电磁发射(EME)的方法。这些方法可确保EME测量具有高度的可重复性和相关性。

适用范围：范围:本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。 本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺; 主要技术内容:本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺

适用范围：本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：范围:本文件适用于在汽车电子系统中使用的高可靠性高集成柔性电路，包括但不限于汽车中控升降屏、胎压压力传感器、Z轴按键压力传感器等领域的柔性电路连接部件; 主要技术内容:本文件规定了车载高可靠性高集成柔性电路技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存等技术要求