适用范围：本文件规定了电子电气产品生产相关组织限用物质管理体系的要求，包括组织环境、领导作用、策划、支持、运行、绩效评价和改进。 本文件适用于对各种类型和规模的电子电气产品生产相关组织进行限用物质管理体系评价。 注： 电子电气产品生产相关组织包括电子电气产品的制造商、供方、修理方、维护方和服务提供方及其供应链。

适用范围：GB/T 39560 的本部分文件描述了使用气相色谱-质谱法测定电子电气产品聚合物中多溴联苯（PBB）、多溴二苯醚（PBDE）和四种邻苯二甲酸酯［邻苯二甲酸二异丁酯（DIBP）、邻苯二甲酸二正丁酯（DBP）、邻苯二甲酸丁基苄酯（BBP）、邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DEHP）］的标准技术方法。 本文件采用超声波辅助萃取方法对样品中PBB、PBDE、DIBP、DBP、BBP、DEHP同时进行萃取。 气相色谱-质谱法（GC-MS）是同时定量测定PBB、PBDE、DIBP、DBP、BBP、DEHP的标准方法，测定范围为25 mg/kg至2000 mg/kg。 这种测试方法已经通过测试聚丙烯（PP）、聚氯乙烯（PVC）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（ABS）、丙烯酸橡胶（ACM）、聚苯乙烯（PS）、聚氨酯（PU）和聚乙烯（PE）等材料进行评估。

适用范围：本文件为电阻器的电阻值和电容器的电容值提供了一系列优先数值。 这些优先数值是以电阻器和电容器各自按照IEC 60062标志和代码为基础定义的电阻值和电容值。

适用范围：适用于电器电子产品中限制释放挥发性有机物的种类和释放阈值的设定

适用范围：本文件界定了半导体器件长期贮存的相关术语、定义和原理。长期贮存作为一种延缓淘汰的策略，是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

适用范围：本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式，以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用，用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355～IEC 624359中加以规定。

适用范围：本文件规定了电子元器件检测与筛选（以下简称“检测与筛选”）服务的一般要求、服务流程和服 务要求。 本文件适用于军用和民用电子元器件检测与筛选服务活动。

适用范围：本文件提供了宇航用元器件结构分析的一般流程和方法，给出了样品、分析试验流程、结构单元分解和结构要素识别方法、结构判别依据等需考虑的信息。本文件适用于半导体集成电路、半导体分立器件、光电器件、电阻器、电容器、电连接器、继电器、开关、熔断器、石英晶体、声表器件、滤波器、射频元件等类别元器件的结构分析工作，其他类别元器件参照执行。

适用范围：GB/T 39560的本部分描述了两种标准方法和两种参考方法，用于测定在电子电气产品聚合物中的邻苯二甲酸二异丁酯（DIBP）、邻苯二甲酸二正丁酯（DBP）、邻苯二甲酸丁苄酯（BBP）、邻苯二甲酸二异辛酯（DEHP）、邻苯二甲酸二正辛酯（DNOP）、邻苯二甲酸二异壬酯（DINP）以及邻苯二甲酸二异癸酯（DIDP）。 本部分的标准方法是气相色谱-质谱（GC-MS）法与配有热裂解/热脱附的气相色谱-质谱（Py/TD-GC-MS）法。 GC-MS法是定量测定DIBP、DBP、BBP、DEHP、DNOP、DINP 和DIDP 的标准方法，测定范围从50 mg/kg到2 000 mg/kg。 配有热裂解/热脱附的气相色谱-质谱法（Py/TD-GC-MS），适用于筛选和半定量分析电子电气产品聚合物材料中的DIBP、DBP、BBP、DEHP、DNOP、DINP和DIDP，测定范围为100 mg/kg到2 000 mg/kg。 离子附着质谱法（IAMS）适用于DIBP、DBP、BBP、DEHP、DNOP、DINP以及DIDP的筛选和半定量分析，详见附录A。由于质谱峰分辨率的限制，用IAMS法测定DBP和 DIBP、DEHP和DNOP的方法尚未确定。 液相色谱-质谱法（LC-MS）仅限于BBP、DEHP、DNOP、DINP 和DIDP的测定，详见附录B。由于质谱峰分辨率的限制，用LC-MS技术测定DBP和DIBP的方法尚未确定。 附录C中提供的流程图，描述了如何使用两种标准方法：Py/TD-GC-MS和GC-MS，及如何使用两种参考方法：直接进样（DIP）-离子附着质谱（IAMS）和液相色谱-质谱（LC-MS）。 这四种测试方法已经通过测试邻苯二甲酸酯含量约450 mg/kg至30 000 mg/kg的聚乙烯（PE）和聚氯乙烯（PVC）材料进行评估。本部分所述的四种方法对其他聚合物类型、邻苯二甲酸类化合物或上述规定浓度范围之外的使用未做具体评估。

适用范围：GB/T 39560的本部分采用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS法测定聚合物、金属和电子件中的汞。 本部分规定了电子电气产品中汞（Hg）含量的测定。这些材料可以是聚合物、金属及电子件（如：印刷线路板、荧光灯、汞开关）。含汞电池参照参考文献[1]进行处理。国际实验室方法研究仅对塑料的检测方法进行了评估，而未涉及其他类型的基体。 本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品是什么样的、以及如何获得样品，由执行检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量，如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。值得注意的是，样品的选择和/或确定可能影响检测结果的解释。 本部分描述了四种方法的使用，即CV-AAS（冷蒸气原子吸收光谱法）、CV-AFS（冷蒸气原子荧光光谱法）、ICP-OES（电感耦合等离子体发射光谱法）和ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法），以及几种制备样品溶液的方法，可以从中选择最合适的分析方法。 用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS测定目标元素-汞，具有高准确性（不确定度小）和/或高灵敏度（检出限低至μg/kg水平）的特点。本部分描述的测试步骤可以测定4 mg/kg～1000 mg/kg含量范围内的汞，且准确度和精确度高。这些方法也适用于更高含量汞的测定。 采用热分解-金汞齐结合CV-AAS（TD（G）-AAS）的方法无需样品消解，也可用于汞的直接测定。由于样品量少，检出限会高于其他方法。

适用范围：GB/T 39560的本部分描述了AAS、AFS、ICP-OES和ICP-MS测定聚合物、金属和电子件中铅、镉和铬的方法。 本部分规定了电子电气产品中镉（Cd）、铅（Pb）和铬（Cr）含量的测定。它涵盖了三种类型的基体：聚合物/聚合物组件、金属及合金和电子件。 本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品及其获得方式由实施检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量，如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。样品的选择和/或测定可能影响对检测结果的解释。 本部分规定了电子电气产品中镉（Cd）、铅（Pb）和铬（Cr）含量的测定方法，介绍了四种仪器的检测方法（AAS、AFS、ICP-OES、ICP-MS）以及几种样品化学前处理方法（样品溶液的制备），可以从中选择最合适的方法。 由于聚合物和电子件中的六价铬有时难以测定，本部分描述了除AFS以外的聚合物和电子件中铬的筛选方法。铬的分析能提供材料中是否存在六价铬的信息。然而，元素分析不能选择性地测定六价铬，它测定的是样品中的总铬含量。如果总铬含量超过六价铬的限量，则应进行六价铬的确证检测。 本部分所述的ICP-OES和AAS法在测定含量高于10 mg/kg Pb、Cd和Cr；或者ICP-MS法测定高于0.1 mg/kg的Pb、Cd；或者AFS法测定高于10 mg/kg的Pb，高于1.5 mg/kg的Cd时，可获得最好的准确度和精密度。这些方法也可以测试更高含量的样品。 因为材料稳定性的关系，本部分不适用于含多氟聚合物的样品。如果在分析过程中使用硫酸，则存在Pb损失的风险，从而会得到错误的偏低的分析值。此外，因为可能干扰Cd的还原，硫酸和氢氟酸不适合于原子荧光光谱法测定Cd。 样品的溶解过程存在局限性和风险，例如可能发生目标物或其他元素的沉淀，在这种情况下，残留物应单独检查或用其他方法溶解，然后与测试样品溶液合并。

适用范围：GB/T 39560的本部分规定了在聚合物和电子件样品中定量检测六价铬［Cr(Ⅵ)］的方法。本部分测定方法采用有机溶剂来溶解或溶胀样品基体，随后采用碱性消解程序从样品中提取六价铬。研究表明，对于从可溶性和不可溶性的样品中提取六价铬，有机/碱性溶液提取效果比酸性溶液更有效。在碱性溶液条件下，六价铬还原成三价铬或者三价铬氧化成六价铬的程度最少。 对于ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、PC(聚碳酸酯)和PVC(聚氯乙烯)构成的可溶性聚合物样品，首先要用适当的有机溶剂将样品进行溶解，然后用碱性提取液来提取六价铬。 对于不含锑(Sb)的不可溶解的或未知的聚合物或者电子件材料，首先将样品放入150 ℃到160 ℃的甲苯/碱性溶液中消解，然后将提取物中的有机相分离并丢弃，保留无机相用于六价铬分析。 提取物中的六价铬浓度是通过提取物在酸性条件下与1，5-二苯卡巴肼的反应来测定。在与二苯卡巴肼的反应过程中，六价铬被还原为三价铬，而二苯卡巴肼被氧化为二苯卡巴腙。然后三价铬和二苯卡巴腙进一步反应形成一种紫红色化合物。然后用色度计或分光光度计在540 nm处对该紫红色化合物溶液进行定量测定。

适用范围：本标准规定了电子电气产品中六价铬的离子色谱测定方法。本标准适用于电子电气产品用聚合物材料中六价铬含量的测定。