19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验 现行
    译:GB/T 45718-2025 Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers
    适用范围:本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-05-30 | 实施时间: 2025-09-01
  • GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验 现行
    译:GB/T 45719-2025 Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
    适用范围:本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-05-30 | 实施时间: 2025-09-01
  • GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 现行
    译:GB/T 45716-2025 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
    适用范围:本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-05-30 | 实施时间: 2025-09-01
  • GB/T 45722-2025 半导体器件 恒流电迁移试验 现行
    译:GB/T 45722-2025 Semiconductor devices—Constant current electromigration test
    适用范围:本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-05-30 | 实施时间: 2025-09-01
  • GB/T 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验 现行
    译:GB/T 45721.1-2025 Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1:Copper stress migration test
    适用范围:本文件规定了一种恒温老化方法,该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行,其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下,该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长,此方法不适用于产品批次性交付检查。 双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬,例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此,对于单个通孔接触下面宽线的结构,通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时,将会瞬间导致开路失效。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-05-30 | 实施时间: 2025-09-01
  • SJ/T 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)门类规范 现行
    译:SJ/T 11975-2025 Power system insulation gate bipolar transistor (IGBT) specification for packaging and categories
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • SJ/T 11974-2025 轨道交通牵引用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范 现行
    译:SJ/T 11974-2025 Electrical specification for isolation gate bipolar transistor (IGBT) module
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • SJ/T 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)平板陶瓷管壳 现行
    译:SJ/T 11972-2025 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Flat Ceramic Housing/Shell
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • T/SZSA 029.4-2025 健康显示技术规范 第4部分: 电子显示屏幕要求和测量方法 现行
    译:T/SZSA 029.4-2025
    适用范围:范围:本标准规定了健康显示技术规范之电子显示屏幕的色温、光谱有害蓝光能量占比和不同环境光照度条件下亮度的要求和测量方法。 本标准适用于手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、电视机、学习机、电子手表等具有电子显示屏幕的产品;另外,环境光照度(0 lx~10000 lx)条件下的适宜屏幕亮度范围也可供户外大屏幕作参考; 主要技术内容:电子显示产品显像原理,主要可分为两类。一类如LCD屏幕,使用白光背光光源,通过扩散板、偏光板和液晶偏转控制像素点中RGB三色光的比例和强弱,实现颜色和图像显示。而另一类如OLED屏幕,无需背光源,通过控制每个像素点中RGB三色的有机半导体芯片发光强度,直接显示图像画面。这两类图像显示,都离不开有机或无机的蓝光LED。研究表明,人眼长时间接收手机、台式机、平板电脑、儿童学习机、电视机等显示屏,会产生视觉疲劳、近视[1],而显示屏辐射有害蓝光(指415—455 nm波段)则是引发白内障、视网膜黄斑病变的主要诱因,尤其是对于生长发育的未成年群体来说,由于他们的眼睛对短波蓝光更敏感[2],更易引发视力障碍等眼睛疾病。据2018年卫健委统计数据显示[3],未成年人的近视率已经达到了53.6%,且呈现逐年增加、低龄化的趋势[4],近视率防控刻不容缓。为了控制近视率,除了严格控制未成年使用手机、平板电脑、儿童学习机等电子产品的时间外,对带显示屏幕产品的技术指标应有特殊要求,特别是有害蓝光波段相对光谱分布、屏幕色温和不同环境照度下的屏幕亮度均应有相应的限值要求。在制定本标准前,我们首先对市场上常见的手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、电视、学习机等电子显示屏产品的知名品牌和型号进行了广泛的调研,其结果是目前电子显示屏产品普遍具有标准和护眼两种工作模式,相对应的我们采集了不同工作模式白平衡状态下的屏幕信息如色温和色温对应的光谱参数。在认可目前产品技术现状的前提下,给出了所调研的全部电子显示屏产品在标准模式和护眼模式下的平均色温作为电子显示屏色温的限值依据。另外,通过研究我们建议显示屏的白平衡校准应以同色温太阳光谱作为校准基准光谱,以同色温太阳光谱中相同蓝光波段光谱分布(辐射强度分布)占比作为评价屏幕蓝光波段限值的重要依据。需要特别说明的是,有害蓝光辐射剂量损伤阈值B与辐射时间T(电子显示屏使用者的使用时间)和产品的有害波段光子辐射强度N有关,其定性数学模
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-05-09
  • SJ/T 11973-2025 新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块门类规范 现行
    译:SJ/T 11973-2025 Electric vehicle (EV) insulation gate bipolar transistor (IGBT) module category specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法 现行
    译:T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量,包含测试原理,测试电路以及测试条件
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-12-23 | 实施时间: 2024-12-30
  • T/SZAA 001-2024 车身域控制器场效应管负载能力试验方法 现行
    译:T/SZAA 001-2024 Test method for load capacity of field effect transistors in vehicle domain controllers
    适用范围:范围:本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测,其它非乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测参照执行; 主要技术内容:本文件规定了乘用车及商用车车身域控制器场效应管的分类、参数要求及封装、技术要求、检测方法、包装、贮存、标识要求。本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测,其它非乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测参照执行
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-11-14 | 实施时间: 2024-11-30
  • DB32/T 4894-2024 微机电系统半导体气体传感器性能检测方法 现行
    译:DB32/T 4894-2024 Microelectromechanical system (MEMS) gas sensor performance testing method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB32)江苏省地方标准 | 发布时间: 2024-11-07 | 实施时间: 2024-12-07
  • DB13/T 6033-2024 半导体器件低浓度氢效应试验方法 现行
    译:DB13/T 6033-2024 Test method for low concentration hydrogen effect of semiconductor devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2024-10-28 | 实施时间: 2024-11-28
  • T/SZSA 029.3-2024 健康显示技术规范 第 3 部分:笔记本电脑屏幕要求和测量方法 现行
    译:T/SZSA 029.3-2024 Health Display Technology Specification Part 3: Requirements and Measurement Methods for Laptop Screen
    适用范围:主要技术内容:目录.I前言.II引言.III1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.13.1蓝光危害.13.2有害蓝光能量限值.13.3目标可见光波段.13.4健康显示.13.5太阳参照光谱.13.6适宜屏幕亮度.24技术要求.24.1色温.24.2有害蓝光能量占比限值.24.3不同环境照度下笔记本电脑显示屏幕亮度.25测试方法.35.1色温和有害蓝光能量占比测量.35.1.1环境条件.35.1.2测试场地.35.1.3测量装置.35.1.4测量步骤.45.2环境照度——屏幕亮度测量.55.2.1环境条件.55.2.2测试场地.55.2.3测量装置.55.2.4测量步骤.6附录A.8A.1 太阳参照光谱功率相对分布.8A.2 太阳参照光谱的蓝光能量占比限值.8附录B.13环境照度-适宜屏幕亮度分布.13参考文献.15
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-10-14 | 实施时间: 2024-10-21
  • T/SZSA 031.01-2024 ESD/TVS静电保护类器件测试规范 现行
    译:T/SZSA 031.01-2024
    适用范围:主要技术内容:前言.I引言.IIESD/TVS静电保护类器件测试规范.11  范围.12  规范性引用文件.13  术语和定义.13.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge.13.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor.13.3  击穿电压Breakdown Voltage.23.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage.23.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current.23.6  箝位电压Clamping Voltage.23.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power .23.8  结电容Junction capacitor.23.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse.23.10  I-V特性曲线.23.11  C-V特性曲线.23.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse.34  分类型号.34.1 分类.34.2 型号.35  测试方法.45.1 总则.45.2 测试目的.45.3 测试条件.45.4 测试设备和装置.55.5测试关键指标.55.6 测试内容.55.7 关键参数示例.6
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-10-14 | 实施时间: 2024-10-21
  • T/SZSA 029.2-2024 健康显示技术规范 第 2 部分:平板电脑屏幕要求和测量方法 现行
    译:T/SZSA 029.2-2024 Health Display Technology Specification Part 2: Requirements and Measurement Methods for Tablet Computer Screens
    适用范围:主要技术内容:目录.I前言.III引言.IV1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.13.1蓝光危害.13.2有害蓝光能量限值.13.3目标可见光波段.13.4健康显示.13.5太阳参照光谱.13.6适宜屏幕亮度.24技术要求.24.1色温.24.2有害蓝光能量占比限值.24.3不同环境照度下平板电脑显示屏幕亮度.25测试方法.35.1色温和有害蓝光能量占比测量.35.1.1环境条件.35.1.2测试场地.35.1.3测量装置.35.1.4测量步骤.45.2环境照度——屏幕亮度测量.55.2.1环境条件.55.2.2测试场地.55.2.3测量装置.55.2.4测量步骤.6附录A.8A.1 太阳参照光谱功率相对分布.8A.2 太阳参照光谱的蓝光能量占比限值.10附录B.13环境照度-适宜屏幕亮度分布.13参考文献.15
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-10-14 | 实施时间: 2024-10-21
  • T/CI 544-2024 低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程规范 现行
    译:T/CI 544-2024 Growth, characterization, and manufacturing process specifications for low-dimensional semiconductor materials and electronic components
    适用范围:范围:本文件规定了低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作的总则 、电子元器件制作流程 、检验与测试。 本文件适用于低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程; 主要技术内容:本文件规定了低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作的总则 、电子元器件制作流程 、检验与测试 
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L43半导体整流器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-10-08 | 实施时间: 2024-10-08
  • GB/T 4937.34-2024 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环 现行
    译:GB/T 4937.34-2024 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 34: Power cycling
    适用范围:本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法,通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时,周期性施加和移除正向偏置(负载电流),使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用,也是对高温工作寿命(见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤,是破坏性试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-03-15 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 4937.35-2024 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查 现行
    译:GB/T 4937.35-2024 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 35:Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components
    适用范围:本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷(分层、裂纹、模塑料空洞等)检查的方法,本方法具有可重复性,是非破坏性试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-03-15 | 实施时间: 2024-07-01