GB/T 43931-2024 宇航用微波集成电路芯片通用规范

ICS31.200

CCSL55

中华人民共和国国家标准

/—

GBT439312024

宇航用微波集成电路芯片通用规范

Generalsecificationformicrowaveinteratedcircuitchiforaerosace

pgpp

2024-06-29发布2024-10-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT439312024

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

、………………………

3术语定义和缩略语1

3.1术语和定义…………………………1

3.2缩略语………………1

4技术要求…………………2

4.1一般要求……………2

4.2芯片分类……………2

、、……………

4.3设计结构材料与工艺2

4.4生产过程控制………………………5

4.5电性能………………5

4.6标志…………………5

4.7质量保证要求………………………5

4.8ESDS………………6

4.9抗辐射能力等级……………………6

4.10芯片氢耐受能力评价………………7

4.11晶圆质量控制………………………7

4.12可追溯性要求………………………9

5质量保证规定……………9

5.1检验分类……………9

5.2破坏性试验和非破坏性试验………………………9

5.3试验和检验的环境条件……………9

5.4批的组成……………9

5.5不合格批的重新提交………………10

5.6鉴定检验和质量一致性检验的样品………………10

5.7不合格………………10

5.8承制方筛选…………………………10

5.9失效…………………11

5.10鉴定检验…………………………11

5.11质量一致性检验…………………12

5.12检验记录…………………………14

5.13使用方验收………………………14

Ⅰ

/—

GBT439312024

6交货准备…………………16

6.1包装要求……………16

6.2贮存要求……………17

6.3运输要求……………17

6.4发货时应提供的文件………………17

7说明事项…………………17

7.1预定用途……………17

7.2订购文件内容………………………17

7.3芯片的使用说明……………………18

()………………………

附录规范性晶圆批验收要求

A19

Ⅱ

/—

GBT439312024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(/)提出并归口。

SACTC425

:、、

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所西安空间无线电技术研究所中国电子科

、、。

技集团公司第五十五研究所上海精密计量测试研究所广州天极电子科技股份有限公司

:、、、、、、、、。

本文件主要起草人林丽艳范海玲王国全韩东崔波何婷陈哲宋翔杨俊锋

Ⅲ

/—

GBT439312024

宇航用微波集成电路芯片通用规范

1范围

、。

本文件规定了宇航用微波集成电路芯片的技术要求质量保证规定和交货准备

(“”)、。

本文件适用于宇航用微波集成电路芯片以下简称芯片的设计生产和产品质量保证

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/—:()

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GBT2828.120121AQL

计划

/()

所有部分电工术语

GBT2900

/—:

半导体器件机械和气候试验方法第部分中子辐照

GBT4937.17201817

/—:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分电离辐射总剂量

GBT4937.18201818

/—:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GBT4937.19201819

/—:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GBT4937.22201822

/—:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GBT4937.23202323

/—:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度

GBT4937.26202326ESD

测试人体模型()

HBM

/—::

半导体器件集成电路第部分第篇半导体集成电路内部目检

GBT19403.12003111

()

不包括混合电路

/—:

半导体芯片产品第部分釆购和使用要求

GBT35010.120181

::(

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温贮存

IEC60749-620176Semiconductorde-

——:)

vicesMechanicalandclimatictestmethodsPart6Storaeathihtemerature

ggp

::(

半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环

IEC60749-25200325Semiconductor

——:)

devicesMechanicalandclimatictestmethodsPart25Temeraturecclin

pyg

::(

半导体器件机械和气候试验方法第部分稳态加速

IEC60749-36200336Semiconductor

——:,)

devicesMechanicalandclimatictestmethodsPart36Accelerationsteadstate

y

、

3术语定义和缩略语

3.1术语和定义

/()/—。

GBT2900所有部分和GBT35010.12018界定的术语和定义适用于本文件

3.2缩略语

下列缩略语适用于本文件。

:()

DRC设计规则检查DesinRuleCheck

g

:()

ERC电气规则检查ElectricalRuleCheck

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