适用范围：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。

适用范围：本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。

适用范围：本文件定义了一种传输线脉冲（TLP）试验方法，用于评估被测半导体器件的电压电流响应，并考量静电放电（ESD）人体模型（HBM）防护的设计参数。本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP试验技术。本文件不是HBM试验标准（例如IEC 6074926）的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指南，以便提取半导体器件的HBM ESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBM ESD参数的标准测量和程序。

适用范围：本文件规定了宇航用微波集成电路芯片的技术要求、质量保证规定和交货准备。本文件适用于宇航用微波集成电路芯片（以下简称“芯片”)的设计、生产和产品质量保证。

适用范围：本文件描述了石英挠性加速度计伺服电路（以下简称“电路”）参数测试方法。本文件适用于石英挠性加速度计伺服电路参数的测试，其他加速度计伺服电路参照使用。

适用范围：本文件描述了4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线电气性能测试和协议测试的测试方法。本文件适用于4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线的器件、板卡、设备、子系统或系统的测试。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权（IP）核质量的评测内容，包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量，包括完备性和可复用性，并不涵盖具体功能和性能的评测。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权(IP)核交付项及推荐格式或语言的要求。本文件适用于模拟/混合信号IP核的测试、交换与集成。

适用范围：本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。 本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

适用范围：本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

适用范围：本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。 本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

适用范围：本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等方面的技术要求和检验方法。 本文件适用于集成电路金属封装外壳（以下简称“外壳”）的研制、生产、交付和使用。

适用范围：本文件规定了集成电路知识产权(IP)核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。 本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

适用范围：本文件提供了模拟/混合信号知识产权(IP)核相关文档结构，包括IP核简介、功能规范、设计手册、功能及物理验证文档和应用手册。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者组织撰写模拟/混合信号IP核相关文档、使用者和第三方评价模拟/混合信号IP核文档的质量控制。注： 此处第三方是指在IP核交易过程中进行评测和提供服务的独立机构。

适用范围：本文件定义了集成电路（IC）传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息，描述了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容。附录A中给出了试验方法的对照表，帮助选择适当的测量方法。

适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。

适用范围：本文件描述了半导体集成电路脉冲宽度调制(PWM)控制器(以下简称器件)参数测试方法。本文件适用于半导体集成电路领域中PWM控制器参数的测试。

适用范围：本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路（FICs和HFICs，以下简称器件）内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。

适用范围：本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。