GB/T 44517-2024 微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

ICS3108099

CCSL.59.

中华人民共和国国家标准

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

微机电系统MEMS技术MEMS膜残

()

余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—Wafercurvatureand

y()gy

cantileverbeamdeflectiontestmethodsfordeterminingresidual

stressesofMEMSfilms

IEC62047-162015Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

(:,

Part16TestmethodsfordetermininresidualstressesofMEMSfilms—

:g

WafercurvatureandcantileverbeamdeflectionmethodsIDT

,)

2024-09-29发布2025-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验方法

4…………………1

概述

4.1…………………1

晶圆曲率法

4.2…………………………2

悬臂梁挠度法

4.3………………………3

参考文献

………………………6

Ⅰ

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半导体器件微机电器件第部分膜残余应力

IEC62047-16:2015《16:MEMS

试验方法晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为微机电系统技术膜残余应力的晶圆

———,《(MEMS)MEMS

曲率和悬臂梁挠度试验方法

》;

为了便于理解增加了的注删除了正文中未出现的实体的定义增加了挠度的

———,3.2“2”,“”,“”

定义

;

增加了对公式中字符σhκ的说明

———(1)f、s、;

更正了原文Eν缺少下标的错误

———、;

增加了对公式中字符Lδ的说明

———(3)、;

增加了图图中注

———1、2“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本文件起草单位合肥美的电冰箱有限公司中机生产力促进中心有限公司绍兴中芯集成电路制

:、、

造股份有限公司中国科学院空天信息创新研究院苏州大学国网智能电网研究院有限公司苏州慧闻

、、、、

纳米科技有限公司无锡华润上华科技有限公司无锡芯感智半导体有限公司微纳感知合肥技术有

、、、()

限公司深圳市美思先端电子有限公司宁波科联电子有限公司美的集团股份有限公司东南大学

、、、、、

工业和信息化部电子第五研究所深圳市速腾聚创科技有限公司华东电子工程研究所中国电子科技

、、(

集团公司第三十八研究所北京晨晶电子有限公司南京高华科技股份有限公司武汉高德红外股份有

)、、、

限公司安徽北方微电子研究院集团有限公司广东涧宇传感器股份有限公司无锡韦感半导体有限公

、、、

司明石创新烟台微纳传感技术研究院有限公司

、()。

本文件主要起草人马卓标李根梓曹诗亮谢波余庆孙立宁王军波梁先锋孙旭辉胡永刚

:、、、、、、、、、、

杨绍松许磊宏宇王雄伟钱峰周再发董显山杨旸张森张红旗汤一兰之康黄晟张胜兵

、、、、、、、、、、、、、、

李海全万蔡辛高峰陈林

、、、。

Ⅲ

GB/T44517—2024/IEC62047-162015

:

微机电系统MEMS技术MEMS膜残

()

余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

1范围

本文件描述了测量厚度范围为的膜残余应力的方法包含晶圆曲率法和

0.01μm~10μmMEMS,

悬臂梁挠度法

。

本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条件其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件微电机器件第部分薄膜材料泊松比试验方法

IEC62047-2121:MEMS(Semi-

conductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part21:TestmethodforPoisson’sratioofthin

filmMEMSmaterials)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

残余应力residualstress

σ

f

外部载荷力热去除后仍然存在的应力

(、)。

32

.

曲率curvature

κ

几何物体晶圆偏离平面的量

()。

注1对于圆κR其中R为半径

:,=1/,。

注2在膜与衬底组成的双层结构中曲率中心与膜同侧则曲率为正曲率中心与膜异侧则曲率为负

:,,。

33

.

挠度deflection

δ

梁在变形时其自由端端点在该点处轴线法平面内的位移量

。

注在膜与衬底组成的双层结构中梁的挠曲方向与膜同侧则挠度为正梁的挠曲方向与膜异侧则挠度为负

:,,。

4试验方法

41概述

.

当微机电结构中沉积的膜存在残余应力时会引起膜和衬底组成的双层结构一起发生弯曲其弯曲

,,

1