GB/T 44635-2024 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级

ICS31080

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T44635—2024/IEC626152010

:

静电放电敏感度试验

传输线脉冲器件级

Electrostaticdischaresensitivittestin—TransmissionlineulseTLP—

gygp()

Componentlevel

IEC626152010IDT

(:,)

2024-09-29发布2024-09-29实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44635—2024/IEC626152010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验设备

4…………………2

通则

4.1…………………2

示波器

4.2………………2

电压探头

4.3……………2

电流探头

4.4……………2

传输线

4.5………………2

高压电源

4.6……………3

高压开关

4.7……………3

衰减器

4.8………………3

上升时间滤波器

4.9……………………3

波形参数

5TLP……………3

脉冲特性

5.1……………3

脉冲幅值

5.2……………4

脉冲宽度

5.3……………4

上升时间

5.4……………4

下降时间

5.5……………4

最大峰值电流过冲

5.6…………………5

最大电流振铃持续时间

5.7……………5

最大峰值电压过冲

5.8…………………5

最大电压振铃持续时间

5.9……………5

测量时间窗

5.10…………………………6

试验要求和程序

6…………………………6

误差修正

6.1……………6

试验系统的误差修正方法

6.2TLP……………………6

试验系统的验证方法

6.3TLP…………7

试验程序

6.4TLP………………………7

失效判据

7…………………9

关于失效判据的一般信息

7.1…………9

泄漏电流测量

7.2………………………9

泄漏电流试验电压

7.3…………………9

文档

7.4…………………9

附录资料性设计指南

A()TLP………………………10

Ⅰ

GB/T44635—2024/IEC626152010

:

基于传输线电缆的系统

A.1…………10

基于商用脉冲源的系统

A.2…………10

方法

A.3TLP…………………………10

试验系统的影响

A.4TLP……………13

参考文献

……………………15

Ⅱ

GB/T44635—2024/IEC626152010

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用静电放电敏感度试验传输线脉冲器件级

IEC62615:2010《》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位苏州泰思特电子科技有限公司深圳市北测标准技术服务有限公司上海雷卯电

:、、

子科技有限公司中国电子技术标准化研究院工业和信息化部电子第五研究所北京智芯微电子科技

、、、

有限公司天津先进技术研究院中国信息通信研究院广州市诚臻电子科技有限公司扬芯科技深圳

、、、、()

有限公司东莞职业技术学院北京无线电计量测试研究所重庆邮电大学中国计量大学上海市计量

、、、、、

测试技术研究院江苏省计量科学研究院国网电力科学研究院有限公司重庆仕益产品质量检测有限

、、、

责任公司厦门市产品质量监督检验院

、。

本文件主要起草人胡小军崔强肖庆中方文啸吴建飞乔彦彬陈奕旭胡光亮汤海波付君

:、、、、、、、、、、

周镒李楠杨红波卞建勇刘星汛刘挺李燕李金龙周雷鞠文静熊璞程江河

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44635—2024/IEC626152010

:

静电放电敏感度试验

传输线脉冲器件级

1范围

本文件定义了一种传输线脉冲试验方法用于评估被测半导体器件的电压电流响应并考量

(TLP),,

静电放电人体模型防护的设计参数

(ESD)(HBM)。

本文件建立了一种与有关的试验和报告信息的方法本文件的范围和重点涉及半导体器件

TLP。

的试验技术

TLP。

本文件不是试验标准例如的替代方法本文件的目的是建立方法的

HBM(IEC60749-26)。TLP

指南以便提取半导体器件的参数本文件提供了使用正确提取参数的标

,HBMESD。TLPHBMESD

准测量和程序

。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

电流源法currentsourcemethod

使用一个电阻器与受试器件串联并在处测量电压和电流的方法有时

500Ω(DUT),DUTTLP(

称为恒流法

)。

32

.

破坏性损坏destructivedamage

工作电气特性或参数改变的损坏且不能恢复到施加应力之前的初始状态

,。

33

.

安全工作区safeoperationareaSOA

;

器件处于正常工作状态而不会降级的电流和电压条件

。

34

.

二次击穿secondbreakdown

由于热过程而在器件中出现负电阻状态的条件

。

注这指定为电压触发点V和电流I通常在电击穿例如VI后可观察到

:t2t2,(,t1、t1)。

35

.

热不稳定性thermalinstability

由于热过程器件处于负电阻状态的条件

。

36

.

时域反射计法timedomainreflectometermethodTDR

;

使用示波器测量的入射波和反射波的法

DUTTLP。

1