GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
GB/T 12964-2018 Monocrystalline silicon polished wafers
国家标准
中文简体
现行
页数：10页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 12964-2018
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-06-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。
发布历史
-
2003年06月
-
2018年09月
研制信息
- 起草单位：
- 有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司
- 起草人：
- 孙燕、卢立延、徐新华、张海英、楼春兰、杨素心、潘金平、张雪囡
- 出版信息：
- 页数：10页 | 字数：18 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H82
中华人民共和国国家标准
/—
GBT129642018
代替/—
GBT129642003
硅单晶抛光片
Monocrstallinesiliconolishedwafers
yp
2018-09-17发布2019-06-01实施
国家市场监督管理总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT129642018
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
/—《》,/—,
本标准代替GBT129642003硅单晶抛光片与GBT129642003相比除编辑性修改外主
要技术变化如下:
———,“
修订了适用范围将本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄进行单面抛光制备的硅抛光
”“、()
片改为本标准适用于直拉法悬浮区熔法包括中子嬗变掺杂和气相掺杂制备的直径不大
。、、,
于200mm的硅单晶抛光片产品主要用于制作集成电路分立元件功率器件等或作为硅
”(,)。
外延片的衬底见第章年版的第章
120031
———,/、/、/、/、
修订了规范性引用文件删除了GBT1552GBT1554GBT1555GBT1558
/、/、/、/,增加了/、/、
GBT13387GBT13388GBT14140GBT14143GBT12965GBT19921
/、/、/、/、/、/(,
见第章
GBT24578GBT29507GBT32279GBT32280YST28YST67922003
年版的第章)。
2
———,“/”(
删除了原标准中的具体术语内容改为GBT14264界定的术语及定义适用于本文件见
第章,年版的第章)。
320033
———。“()()”,
修订了硅抛光片的分类删除了按硅单晶生长方法分为直拉CZ和悬浮区熔FZ增加了
“{}、{}、{}”(,
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