GB/T 12962-2005 硅单晶

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H82遐黔

中华人民共和国国家标准

GB/T12962-2005

代替GB/T12962-1996

硅单晶

Monoccrystallinesilicon

2005-09-19发布2006-04-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T12962-2005

前言

本标准的指标参照了国外有关标准(见参考文献)，结合我国硅材料的实际生产和使用情况，并考虑

国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行修订而成的。

本标准代替GB/T12962-1996,

本标准与GB/T12962-1996相比，有如下变动:

—删去了原标准直拉单晶的直径为63.5mm规格，增加了直径200mm直拉硅单晶及掺As单

晶的内容。

—删去了原标准区熔单晶的直径为30mm规格，增加了直径125mm区熔硅单晶的内容。

—根据国内外对直拉硅单晶要求的变化，对150mm以下的硅单晶参数进行了修订。

—增加了硅单晶的金属含量要求。

—对重掺单晶的氧含量，基翻、基磷含量的要求及检测方法由供需双方协商的内容。

本标准应与GB/T12964,GB/T12965配套使用。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。

本标准由北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。

本标准主要起草人:孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

—GB/T12962-1991

—GB/T12962-1996

GB/T12962-2005

硅单晶

范围

1.1本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、

贮存。

1.2本标准适用于直拉、悬浮区熔和中子嫂变掺杂制备的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所

有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研

究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T155。非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅锗单晶电阻率测定直流二探针法

GB/T1552硅锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T12964硅单晶抛光片

GB/T13387电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T14140(所有部分)硅片直径测量方法

GB/T14143300pm-900pm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1

径向电阻率变化radialresistivityvariation

晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的1/2处或靠

近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻

率梯度。

3.2

杂质条纹impuritystriation

晶体生长时，在旋转的固液交界面处发生周期性的温度起伏，引起晶体内杂质分布的周期性变化。

在晶体的横截面上，该变化呈同心圆或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化，也使电阻

率局部变化。择优腐蚀后，在放大1500倍下观察，条纹是连续的。

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GB/T12962-2005

3.3

，接杂heavydoping

半导体材料中掺人的杂质量较多，通常杂质浓度大于lollcm-,，为重掺杂。

4产品分类

4.1分类

硅单晶按导电类型分为N型，P型两种类型，按硅单晶生产工艺方法分为直拉(CZ),悬浮区熔

(FZ)和中子嫂变掺杂(NTD)三种产品。

4.2牌号

硅单晶的牌号表示按GB/T14844的规定。

4.3规格

硅单晶按直径分为<050.8mm,050.8mm,076.2mm,0100mm.0125mm,0150mm和此00mm

七种规格。

5技术要求

5.1直径及其允许误差

5.1.1硅单晶的直径及其允许偏差应符合表1的规定。在表1中未列出的直径及偏差由供需双方

商定。

5.1.2未滚圆硅单晶的直径和允许偏差由供需双方商定。

裹1硅单晶的直径及其允许偏差单位为毫米

直径扭76.2100125150200

直拉硅单晶