GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1551-2009 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm～3×10 3 Ω·cm。
发布历史
-
1995年04月
-
2009年10月
-
2021年05月
研制信息
- 起草单位：
- 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 起草人：
- 李静、何秀坤、张继荣、段曙光
- 出版信息：
- 页数：19页 | 字数：35 千字 | 开本： 大16开
内容描述
犐犆犛２９．０４５
犎８０
中华人民共和国国家标准
／—
犌犅犜１５５１２００９
代替／—、／—
ＧＢＴ１５５１１９９５ＧＢＴ１５５２１９９５
硅单晶电阻率测定方法
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２００９１０３０发布２０１００６０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—
犌犅犜１５５１２００９
前言
本标准修改采用《硅片电阻率测定四探针法》和《硅棒电阻
ＳＥＭＩＭＦ８４１１０５ＳＥＭＩＭＦ３９７１１０６
率测定两探针法》。
本标准与和相比，主要变化如下：
ＳＥＭＩＭＦ８４１１０５ＳＥＭＩＭＦ３９７１１０６
———中厚度修正系数（／）表格范围增加；
Ｆ犠犛
———按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。
本标准代替／—
定制服务
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