GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法

621-315-592

UHDC80

石旨

中华人民共和国国家标准

Gs/T14844一93

半导体材料牌号表示方法

Designationsofsemiconductormaterials

1993一12一24发布1994一09一01实施

国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准

Gs/T14844一93

半导体材料牌号表示方法

Designationsofsemiconductormaterials

1主题内容与适用范围

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。

本标准适用于编制半导体材料的牌号。在编写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号

表示方法。产品出厂时，应使用本标准规定的牌号标志。

2牌号分类

按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类。

3牌号表示方法

3.，多晶牌号

半导体多晶的牌号表示为:

口一口一口一(口)一口

1,2,3,4,5分别代表牌号的第一项至第五项。

3.1.1牌号的第一项表示多晶的生产方法或特殊用途，或生产方法与特殊用途的组合，分别用英文的

第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中:

C表示铸造法;

b.IR表示红外光学用途;

c.R表示还原法;

d.Z表示区熔法。

3.1.2牌号的第二项中P表示多晶，分子式表示多晶名称。

3.1.3牌号的第三项表示多晶的形状，分别用英文第一个字母的大写形式表示，其中:

a.I表示棒状;

b.N表示块状。

3.1.4牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂。

3.1.5牌号的第五项中用