GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1553-2009 Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
1.1本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
1.2本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。
1.2本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。
发布历史
-
1997年06月
-
2009年10月
-
2023年08月
研制信息
- 起草单位：
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人：
- 江莉、杨旭
- 出版信息：
- 页数：14页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS29.045
H80
中华人民共和国国家标准
/—
GBT15532009
代替/—
GBT15531997
硅和锗体内少数载流子寿命测定
光电导衰减法
Testmethodsforminoritcarrierlifetimeinbulkermanium
yg
andsiliconbmeasurementofhotoconductivitdeca
ypyy
2009-10-30发布2010-06-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
硅和锗体内少数载流子寿命测定
光电导衰减法
／—
ＧＢＴ１５５３２００９
中国标准出版社出版发行
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