GB/T 14264-2009 半导体材料术语

ICS29.045

H80OB

中华人民共和国国家标准

GB/T14264—2009

代替GB/T14264—1993

半导体材料术语

Semiconductormaterials—Termsanddefinitions

2009-10-30发布2010-06-01实施

发布

GB/T14264—2009

-1.Z-—1—

刖弓

本标准代替GB/T14264—1993《半导体材料术语》。

本标准与GB/T14264—1993相比，有以下变化：

——增加了218项术语；

——增加了三个资料性附录:包括61项硅技术术语缩写、11项符号和标准术语出处；

——修改了原标准中86项术语内容。

本标准的附录A和附录B为资料性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出，

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准负责起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研半导体材料股份有限公司、

杭州海纳半导体有限公司和国瑞电子材料有限责任公司。

本标准参加起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司、峨眉半导体材料厂、宁波立立电子股份有限公司、

南京国盛电子有限公司、南京错厂有限责任公司、万向硅峰电子股份有限公司、云南东兴集团、西安骊晶

电子技术有限公司、中科院半导体所、上海合晶硅材料有限公司。

本标准主要起草人:孙燕、黄笑容、向磊、翟富义、卢立延、郑琪、邓志杰、贺东江。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB/T14264—1993O

T

GB/T14264—2009

半导体材料术语

1范围

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。

本标准适用于元素和化合物半导体材料。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成|办议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ASTMF1241硅技术术语

SEMIM59硅技术术语

3术语

以下术语和定义适用于本标准。

3.1

受主acceptor

半导体中的一种杂质，它接受从价带激发的电子，形成空穴导电。

3.2

电阻率允许偏差allowableresistivitytolerance

晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数

来表亦O

3.3

厚度允许偏差allowablethicknesstolerance

晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。

3.4

各向异性anisotropic

在不同的结晶学方向具有不同的物理特性，又称非各向同性，非均质性。

3.5

各向异性腐蚀anisotropicetch

沿着特定的结晶学方向，呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀。

3.6

退火annealing

改变硅片特性的热过程。

3.7

退火片annealedwafer

在惰性气氛或减压气氛下由于高温的作用在近表面形成一个无缺陷（C（）P）区的硅片。

3.8

脊形崩边apexchip

从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域。该区域至少含有2个清晰的内界面，而形成一条或多条

清晰交叉线。

1

GB/T14264—2009

3.9

区域沾污areacontamination

在半导体晶片上，非有意地附加到晶片表面上的物质，它的线度远大于局部光散射体。区域沾污可

以是由吸盘印，手指或手套印迹、污迹、蜡或溶剂残留物等形成的晶片表面上的外来物质。

3.10

区域缺陷areadefect

无标准定义,参看延伸的光散射体(3.28.6)。

3.11

氟气退火的硅片argonannealedwafer

在氮气气氛下进行高温退火的硅片。

3.12

自掺杂autodoping(self-doping)

源自衬底的掺杂剂掺入到外延层中。自掺杂源可来自衬底的背面、正面以及边缘、反应器中的其他

衬片，基座或沉积系统的其他部分。

3.13

背封backseal

在硅片背表面覆盖一层二氧化硅或其他绝缘体的薄膜，以抑制硅片中主要掺杂剂向外扩散。

3.14

背面backside

不推荐使用的术语。如在ASTMF1241中规定的使用术语“背表面”。

3.15

背表面backsurface

半导体晶片的背表面，相对于在上面已经或将要制作半导体器件的暴露表面。

3.16

基底硅片basesiliconwafer

指S()I片，在绝缘薄层下面的硅片，支撑着上层的硅薄膜。

3.17

块状结构blockstructure

参见胞状结构(3.27)。

3.18

键合界面bondinginterface

两种晶片之间的键合面。

3.19

键合硅片bondingwafer

两个硅片键合在一起，中间有绝缘层，这种绝缘层是典型的热生长的二氧化硅。

3.20

弯曲度bow

自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准平面间的偏离。中位面基准平面是由指定的小于晶

片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。

3.21

亮点brightpoint

不推荐的术语，参见局部光散射体(SX3.28.3)。

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GB/T14264—2009

3.22

埋层buriedlayer

外延层覆盖的扩散区，又称副扩散层或膜下扩散层。

3.23

埋层氧化物(硅)buriedoxide

由氧注入形成的氧化物(氧化硅)层。

3.24

埋层氧化(BOX)buriedoxidelayer

当绝缘层为二氧化硅时,硅片中间的绝缘层。

3.25

载流子浓度carrierdensity

单位体积的载流子数日。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为

P，电子浓度的符号为no

3.26

半导体材料中的载流子carrier,insemiconductormaterials

一种能携带电荷通过固体的载体。例如，半导体中价带的空穴和导带的电子。又称荷电载流子。

3.27

胞状结构cellstructure

来源于晶体生长过程中晶体不均一性的畸变，也理解为块状结构。

3.28

晶片的表面检查checkofwafersurface

3.28.1

扫描表面检查系统(SSIS)scanningsurfaceinspectionsystem

用于晶片整个质量区的快速检查设备，可探测局部光散射体、雾等，也叫做颗粒记数器(particle

counter)或激光表面扫描仪(lasersurfacescanner)

3.28.2

激光光散射现象laserlight-scatteringevent

一个超出预置阈值的信号脉冲，该信号是由探测器接收到的激光束与晶片表面局部光散射体相互

作用产生的。

3.28.3

局部光散射体(LLS)localizedlight-scatterer

一种孤立的特性，例如晶片表面上的颗粒或蚀坑相对于晶片表面的光散射强度，导致散射强度增

加。有时称光点缺陷。尺寸足够的局部光散射体在高强度光照射下呈现为光点，这些光点可目视观察

到。但这种观察是定性的。观测局部光散射体用自动检测技术，如激光散射作用，在能够区分不同散射

强度的散射物这一意义上，自动检测技术是定量的。S的存在也未必降低晶片的实用性。

3.28.4

光点缺陷(LPD)lightpointdefect

不推荐的术语，参见局部光散射体(SX3.2&3)。

注2：LPD是通用的术语，它包括类似乳胶球和其他可检测到的表面不平整性。

3.28.5

乳胶球当量(LSE)latexsphereequivalence

用一个乳胶球的直径来表示一个局部光散射体(S)的尺寸单位，该乳胶球与局部光散射体

(S)具有相同光散射量。用“LSE”加到使用的长度单位来表示，例如0.2“niLSE。

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GB/T14264—2009

3.28.6

延伸光散射体（XLS）extendedlightscatterer

一种大于检查设备空间分辨率的特征，在晶片表面上或内部，导致相对于周围晶片来说增加了光散

射强度，有时称为面缺陷。

3.29

半导体工艺中的化学-机械抛光（CMP）chem-mechanicalplanarization,insemiconductortechnology

利用化学和机械作用去除晶片表面物质，为后续工艺提供镜状表面的一种工艺。

3.30

化学气相沉积（CVD）chemicalvapordeposition

半导体工艺的化学气相沉积，是一个工艺过程，其控制化学反应，制成一个表面薄膜。

3.31

崩边（边缘崩边•周边崩边，圆周缺口，表面崩边）chip（edgechips,peripheralchips,peripheral

indents,surfacechips）

晶片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域。某些崩边是在晶片加工、测量或检验时，因传送或

放置样品等操作引起的。崩边的尺寸由样品外形的正投影图上所测量的最大径向深度和圆周弦长

确定。

3.32

夹痕chuckmark

由机器手、吸盘或条形码读入器引起的晶片表面上的任一物理印迹。

3.33

解理面cleavageplane

一种结晶学上优先断裂的晶而。

3.34

补偿compensation

除去主掺杂剂浓度的杂质以外的杂质存在引起自由载流子数量的减少。

3.35

补偿掺杂compensationdoping

向P型半导体中掺入施主杂质或向n型半导体中掺入受主杂质，以达到反型杂质电学性能相互补

偿的目的。

3.36

化合物半导体compoundsemiconductor

由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如碑化镣、磷化钢、硏化镉等。

3.37

浓度concentration

混合物中少数组分的量对于多数组分的比（例如每百万分之几，每十亿分之几或百分之几）。

3.38

电导率conductivity

载流子在材料中流动难易的一种度量。符号为。，单位为（Q・cm）-1。

3.39

导电类型conductivitytype

半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。

GB/T14264—2009

3.40

恒定组分区constantcompositionregion

GaAs(1_.r)P,外延层中最后生长层的组分，该组分值按设定值保持不变，一般是磷的摩尔百分数，

2=0.38。

3.41

沾污contaminant,particulate

参见S(3.28.3)。

3.42

晶体原生凹坑(COP)crystaloriginatedpit

在晶体生长中引入的一个凹坑或一些小凹坑。当它们与硅片表面相交时，类似JLS。因为在使用

SSIS观察时，在一些情况下它们的作用与颗粒类似，因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒(crystal

originatedparticulate)o总之,现代的SSIS-般能够从颗粒中区分出晶体原生凹坑。当晶体原生凹坑

存在时，表面清洗或亮腐蚀常常会增大其被观察的尺寸和数量。

3.43

裂纹crack

延伸到晶片表面的解理或断裂，其可能或许没有穿过晶片的整个厚度。

3.44

火山口(弹坑状)crater

平滑中心区域的具有不规则的封闭山脉状表面织构。

3.45

新月状物crescents

外延沉积后具有平行主轴的结构，其归因于硅衬底表平面的上面或下面的衬底缺陷，参见鱼尾状物

(3.89)。

3.46

鸦爪crow'sfoot

相交的裂纹，在｛111〉表面上呈类似乌鸦爪的“Y”图样，在｛100｝表面上呈十字“+”形的图样。

3.47

晶体crystal

在三维空间中由原子、离子或分子以一周期性图形排列组成的固体。

3.48

晶体缺陷crystaldefect

偏离理想晶格点阵中原子有规则的排列。

3.49

晶体指数crystalindices

见密勒指数(3.158)0

3.50

结晶学表示法crystallographicnotation

用于标示晶体中晶面和晶向的密勒指数的一种符号体系。

晶面()，如(111)

晶面族{｝，如{111}

晶向:］，如口11]

晶向族〈〉，如<111>

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GB/T14264—2009

3.51

晶面crystallographicplane

通过空间点阵中不在同一直线上的三个结点的平面。

3.52

切割cutting

把半导体晶锭切成具有一定形状的工艺。

3.53

损伤damage

单晶样品的一种晶格缺陷，是一种不可逆转的形变，它因室温下没有后续热处理时的表面机械加工

引起,像切割，磨削，滚圆，喷砂，以及撞击造成。

3.54

深能级杂质deep-levelimpurity

一种化学元素，引入半导体中形成一个或多个能级,且它的能级多位于禁带的中央区域，这类杂质

称深能级杂质。

3.55

掺杂浓度densityofdopantatoms

在一个掺杂半导体中，每单位体积中的掺杂剂的数量。

当下列三种情况时：（1）半导体没有补偿，（2）掺杂原子仅仅是施主或受主之一的单一类型，（3）掺杂

原子100%被电离。载流子的浓度等于掺杂剂的原子浓度。

3.56

洁净区denudedzone

在硅片的一个特定区域，通常仅仅位于硅片正表面之下，其中的氧浓度下降到一个比较低的水平，

导致了体微缺陷密度（氧沉淀）减少。

3.57

耗尽层depletionlayer

可动载流子电荷密度不足以中和施主或受主的净固定电荷密度的区域。又称势垒区、阻挡层或空

间电荷层。

3.58

耗尽层宽度depletionwidth

临近金属-半导体接触的半导体中的一个区域的宽度，该区域内荷电载流子密度不够中和施主和受

主的固定电荷密度。

3.59

直径diameter

横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度。

3.60

扩散层diffusedlayer

采用固态扩散工艺，将杂质引入晶体，使单晶近表面层形成相同或相反导电类型的区域。

3.61

凹坑dimple

晶片表面的一种浅凹陷，具有一个凹面，似球状的外形和倾斜的侧面。在适当的光照条件下，肉眼

可见。在抛光初始阶段，晶片浮抛可能诱生这种表面织构。

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GB/T14264—2009

3.62

污物dirt

半导体晶片上的尘埃，表面污染物，不能用预检查溶剂清洗去除。

3.63

位错dislocation

晶体中的一种线缺陷，它是晶体中已滑移与未滑移区之间边界构成的，或是以伯格斯回路闭合性破

坏来表征的缺陷。

3.64

位错排dislocationarray

一种位错蚀坑的某一边排列在一条直线上的位错组态。

3.65

位错密度dislocationdensity

单位体积内，位错线的总长度（cm/cn?）,通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目（个/

cm"）来表示。

3.66

位错腐蚀坑dislocationetchpit

在晶体表面的位错应力区域，由择优腐蚀而产生的一种界限清晰、形状规则的腐蚀坑。

3.67

DI晶片DIwafer

由硅多晶、二氧化硅和硅单晶区域组成的一种晶片。

3.68

施主donor

半导体中一种杂质或不完整性,它向导带提供电子形成电子导电。

3.69

掺杂剂dopant

一种化学元素，对元素半导体，通常为周期表中的川族或V族元素。以痕量掺入半导体晶体中，用

以确定其导电类型和电阻率等。

3.70

掺杂条纹环dopantstriationrings

硅片表面上由于杂质浓度的局部变化呈现出的螺旋状特征。

3.71

掺杂doping

将特定的杂质加入到半导体中，以控制电阻率等。

3.72

掺杂片dopingwafer

经工艺处理已变成含有附加结构，可进入器件加工工艺的半导体基片。

3.73

边缘凸起edgecrown

距晶片边缘3.2mm（l/8英寸）处的表面高度与晶片边缘处高度之间的差值。单位为Mmo

3.74

边缘去除区域edgeexclusionarea

晶片的合格质量区和晶片实际周边之间的区域，该区域随晶片实际尺寸而变化。

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GB/T14264—2009

3.75

标称边缘去除（EE）edgeexclusionnominal

对标称边缘尺寸硅片，指从合格质量区边界到晶片周边的距离。

3.76

边缘轮廓edgeprofile

在边缘倒角的晶片上，其边缘经化学或机械加工整形，是对连结晶片正面与表面边界轮廓的一种

描述。

3.77

倒角edgerounding

晶片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度，以消除晶片边缘尖锐状态，避免在后序加工中造成

边缘损伤。

3.78

外延层的有效层厚度effectivelayerthickenessofanepitaxiallayer

距正面的深度，在该深度内，净载流子浓度在规定范围内。

3.79

电子导电electronconduction

在半导体单晶中，导带中的一种带电载流子，其作用像带负电荷的自由电子，但通常有稍微不同的

质量，是n型材料中的多数载流子。

3.80

元素半导体elementalsemiconductor

由一种元素组成的半导体。如硅和错。

3.81

外延层epitaxiallayer

在基质衬底上生长的半导体材料单晶薄层，其晶向由衬底决定。

3.82

外延epitaxy

用气、液、分子束等方法在衬底上生长单晶薄层的工艺。在衬底上生长组份与衬底材料相同的

单晶薄层,称同质外延；在衬底上生长与衬底材料组份不同的单晶薄层,称异质外延。

3.83

腐蚀etch

用一种溶液、混合液或混合气体侵蚀薄腮或衬底的表面，有选择地或非选择地去除表面物质。见各

向异性腐蚀（3.5）、择优腐蚀（3.195）。

3.84

腐蚀坑etchpit

晶片表面上局限于晶体缺陷或应力区处择优腐蚀形成的凹坑。

3.85

腐蚀的多晶硅etchedpolysilicon

用酸腐蚀去除表面沾污后的多晶硅。

3.86

非本征的extrinsic

（1）导电性的电导率-温度曲线是由掺杂剂原子提供的电子或空穴控制的区域。（2）—个过程，例

如，像非本征吸除，是由晶片本身以外的因素引起的。

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GB/T14264—2009

3.87

层错fault

见堆垛层错（3.238）。

3.88

基准fiducial

指晶片上的一个平面或切口，以提供其结晶轴的参考位置。

3.89

鱼尾状物fishtails

属于衬底的结构缺陷，外延沉积后的表平面的上面或者下面，沿特定的结晶学方向排列的“尾状

物”,参见新月状物（3.45）。

3.90

合格质量区（FQA）fixedqualityarea

标称边缘除去后所限定的晶片表面中心区域，该区域内各参数值均符合规定的要求。

FQA的边界是距标称尺寸的晶片边缘的所有点。FQA的大小与晶片直径和参考面长度的偏差无

关。为了规定FQA,假定在切口基准位置处晶片标称尺寸的周边是沿着直径等于晶片标称直径的圆

周。为规定去除区域，对有切口、激光标志、或处理/夹片装置接触晶片的区域，规定的参数值不适用。

3.91

鳞片flake

从晶片的一面上剥落而从另一面上不剥落材料的区域。在晶片内部界线为一条长度不超过2mm

的清晰直线或弧线，且不会延伸到规定的边缘去除区域以外的晶片处。

3.92

参考面直径flatdiameter

横过半导体晶片表面，从参考面中点沿着垂直于参考面的直径，通过晶片中心到相对边缘的圆周的

直线长度。参考面直径常与主参考面联系在一起。在主参考面和副参考面相对的情况下，比如125mm

的或更小直径的{100}n型晶片，参考面直径的概念不能使用，因为直径垂直参考面，它不能与晶片圆周

相交。

3.93

半导体晶片的参考面flat,onsemiconductorwafer

晶片圆周的一部分被割去，成为弦。见主参考面（3.197）、副参考面（3.217）0

3.94

外延层的平坦区flatzone,ofanepitaxiallayer

从正表面到净载流子浓度大于或小于外延厚度的0.25-0.75区域内平均净载流子浓度的20%的

点的深度。

3.95

平整度flatness

晶片背表面为理想平面吋，例如，晶片背表面由真空吸盘吸附在一个理想、平坦的吸盘上，晶片正表

面相对于一规定的基准面的偏差，以TIR或FPD的最大值表示。

晶片的平整度可描述为下面任何一种：

a）总平整度；

b）在所有局部区域测量的局部平整度的最大值；

c）局部平整度等于或小于规定值的局部区域所占的百分数。

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GB/T14264—2009

3.95.1

焦平面focalplane

与成像系统的光轴垂直且包含成像系统焦点的平面。

成像系统使用的基准平面和焦平面重叠或平行，全视场成像系统使用重叠的总焦平面和基准平面；

局部视场成像系统使用局部焦平面和基准平面重合或者使用取代的局部焦平面和总基准平面。若基准

平面和焦平面不重合，用焦平面代替基准平面，所以正表面局部区域的中心点位于焦平面上。

3.95.2

焦平面偏差（FPD）focalplanedeviation

晶片表面的一点平行于光轴到焦平面的距离。

3.95.3

总平整度globalflatness

在FQA内，相对于规定基准平面的TIR值或FPD的最大值。

3.95.4

最大的FPDmaximumFPD

焦平面偏差中绝对值最大的值。

3.95.5

百分可用区域percentusablearea

在FQA内符合规定要求的面积比，以百分数表示。PUA通常是指符合要求的局部平整度区域

（包括完整的或全部的）所占的百分数。

3.95.6

基准面referenceplane

由以下的一种方式确定的平面：

a）晶片正表面上指定位置的三个点；

b）用FQA内的所有点对晶片正表面进行最小二乘法拟合；

c）用局部区域内的所有的点对晶片正表面进行最小二乘法拟合；

d）理想的背面（相当于与晶片接触的理想平坦的吸盘表面）。

选择规定的基准面应考虑成像系统的能力，应根据晶片放置系统选用正表面或背表面为基准面。

如果成像系统中晶片不能用万向夹具固定，应规定背面为基准面。

3.95.7

扫描方向scandirection

在扫描局部平整度计算中顺序扫描次局部区域的方向。局部平整度值可能与扫描方向有关。

3.95.8

扫描局部平整度scannersiteflatness

一个局部区域内的次局部区域的TIR或FPD的最大值。一个次局部区域的TIR是在合格质量区

内和局部区域内的这个次局部区域的TIR。一个次局部区域的最大FPD是在合格质量区内和局部区

域内这个次局部区域的最大FPD。基准面的计算用到了合格质量区内的次局部区域所有的点。

精确的扫描器局部平整度的测量要求测量点足够接近，足以详细地显示表面形貌。推荐测量扫描

局部平整度使用相邻点间隔为1mm或更小些的数据点阵列。

3.95.9

局部区域site

晶片正表面上平行或垂直于主定位边方向的区域。

10

GB/T14264—2009

3.95.10

局部区域阵列sitearray

一组邻接的局部区域。

3.95.11

局部平整度siteflatness

在FQA内，一个局部区域的TIR或FPD的最大值。

精确的局部平整度测量要求测量邻接的定位点，足以详细地显示表面布局。推荐测量局部平整度

利用一组相邻点间隔2mm或更小些的数据点阵列；也可推荐用来计算局部平整度的数据组，其数据取

自每个局部区域的拐角处及沿着各局部区域的边界处。这样使得局部区域的有效测量面积等于局部区

域的大小。

3.95.12

局部区域内的次局部区域subsile,ofasite

晶片正表面上的一个矩形区域，“XW\s,与一个特定局部区域有关，次局部区域的中心必须在此

局部区域内且矩形的某一部分都在FQA内或落在FQA的边界上。次局部区域与步进光刻机曝光时

的瞬吋区域相一致。

3.95.13

总指示读数（TIR）totalindicatorreading

与基准平面平行的两个平面之间的最小垂直距离。该两平面包含了晶片正表面FQA内或规定的

局部区域内的所有的点。

3.95.14

总指示器偏移（TIR）totalindicatorrunout

在硅片正表面，包含位于规定的平整度质量区域或地点的所有点的，相对于参照平面平行的两个平

而之间的最小垂直距离。

3.96

悬浮区熔法（FZ）flotationzonemethod

将晶锭垂直固定，在下端放置籽晶，利用熔体的表面张力，在籽晶上方建立熔区，然后以一定的速度

垂直向上进行区熔，将晶锭提纯并制成单晶的方法。

3.97

四探针fourpointprobe

测量材料电阻率的一种点探针装置。其中一对探针用来通过流经样片的电流，另一对探针测量因

电流引起的电势差。

3.98

流动图形缺陷（FPDs）flowpatterndefects

在硅片表面用特定腐蚀液Secco腐蚀剂择优腐蚀显示出的呈流线状的腐蚀痕迹。

3.99

裂痕fracture

见裂纹（3.43）。

3.100

正面frontside

不推荐使用的术语。如在SEMIM59-1105中规定的使用术语“正表面”。

3.101

正表面frontsurface

半导体硅片的前表面，在上面已经制造或将制造半导体器件的暴露表面。

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GB/T14264—2009

3.102

炉处理硅片furnacewafer

可用于监控热工艺或作为注入的监控，通常只在洁净室使用。

3.103

碑化稼退火GaAsannealed

3.103.1

退火GaAsannealing

将置于炉子中的GaAs加热到特定温度的过程，它是在还原气氛中进行的，退火过程中要设法防止

由于升华所造成的材料表面碑（As）损失。

3.103.2

盖帽退火cappedannealing

为防止退火过程中，样品表面As蒸气损失，在GaAs试样表面放置一保护层（通常是氮化硅Si：,N4

或二氧化硅SiQ作保护层），注意：盖帽方式不同对测试结果有一定影响。

3.103.3

令8近退火proximityannealing

将GaAs试样置于两个同样GaAs片中间，以此来减少退火吋碑蒸气在退火过程中GaAs样品表面

As的损失。

3.104

掾夹杂galliuminclusion

结合到表面结构中的一种分凝的富镣微滴。在晶体生长工艺结束吋，通常由于碑的蒸气压不足或

由铢与某些近于饱和的掺杂剂络合产生的。

3.105

渐变区gradedregion

用于起始生长的GaAs（1_r>Pr外延层，其在生长过程中外延层的组分由GaAs逐渐变为GaAs〈—,

P”。该层的目的是尽可能减少GaAs衬底与GaAs（1_.r）Pr外延层间的晶格失配。

3.106

晶粒间界grainboundary

固体内，一晶粒与另一晶粒相接触的界面，简称晶界。该界面上的任一点至少构成两个晶向差大于

1°的晶格点阵。

3.107

吸除gettering

使杂质在晶片特定区固定，以获得表面洁净区的工艺过程。

3.108

电阻率梯度gradient,resistivity

也常常被称为径向电阻率梯度radialresistivitygradient（RRG）不推荐使用的术语。

3.109

半导体晶片的沟槽grooveinsemiconductorwafer

通常为半导体晶片上的一种抛光吋没有完全去除的、残存的、边缘光滑的浅划伤。

3.110

霍尔系数hall-coefficient

见霍尔效应（3.lll）o

12

GB/T14264—2009

3.111

霍尔效应hall-effect

若对通电的样品施加磁场，由于罗伦兹力的影响，在与电流与磁场的垂直方向上有横向电势差产

生，该效应称为霍尔效应。所产生的横向电场为霍尔电场。霍尔电场的大小与磁感应强度及电流密度

成正比。比例系数尺“称为霍尔系数，其计算公式为：

Ru=±y/ne

式中，“+”、“一”号分别对应空穴导电和电子导电*是一个与散射机构、样品温度、能带结构及磁

场强度有关的因子。"为载流子浓度，e为电子电荷。单位为n?/C。

3.112

霍尔迁移率hall-mobility

霍尔系数和电导率的乘积。(Ry),与迁移率有相同的量纲，通常将这个量叫做霍尔迁移率，用““

表示：

卩h=IRnoI

3.113

手刻标记handscribemark

为了识别晶片，一般在晶片的背面比如用金刚石刻刀，手工刻在晶片表面的任何标记。

3.114

雾haze

由表面形貌(微粗糙度)及表面或近表面高浓度的不完整性引起的非定向光散射现象。

由于一群不完整性的存在，雾是一个群体效果；引起雾的个别的这种类型的不完整性不能用眼或其

他没有放大的光学检测系统很容易的辨别。对于一个颗粒计数器(SSIS),雾可引起本底信号及激光光

散射现象，它和来自硅片表面的光散射,两者共同组成信号。它是由一个光学系统收集的，由入射通量

归一化的总散射光通量。

3.115

重掺杂heavydoping

半导体材料中掺入的杂质量较多，通常硅单晶中杂质浓度大于iolficm-3,为重掺杂。

3.116

异质外延heteroepitaxy

见3.820

3.117

HF缺陷HFdefects

在氢氟酸液中浸蚀一段时间后缀饰的S()I层中的缺陷。

3.118

空穴hole

半导体价带结构中一种运动空位，其作用就像一个正有效质量的带正电荷的电子一样。在P型半

导体材料中，空穴为多数载流子。

3.119

同质外延homoepitaxy

见3.820

3.120

水平法horizontalcrystalgrowthmethod

沿着水平方向生长单晶体的一种方法。

13

GB/T14264—2009

3.121

氢退火的硅片hydrogenannealedwafer

在氢气气氛下进行高温退火的硅片。

3.122

亲水性hydrophilic

对水有很强的亲和力，可湿润的。

3.123

疏水性hydrophobic

对水完全不具亲和力，不可湿润的

3.124

疏水性表面hydrophobicsurface

晶片接触角大于60°,例如：原始外延的，或用HF或HMDS：六甲基乙硅烷(hcxamethyldisi-

lazane)］处理过的表面。

3.125

嵌入磨料颗粒imbeddedabrasivegrain(embedded)

表面上嵌入的磨料细粒，磨料微粒机械地强制嵌入半导体表面。

3.126

杂质浓度impurityconcentration

单位体积内杂质原子的数目。

3.127

杂质富集impurityconcentration

在生长重掺杂单晶时，如果杂质在晶体中的分凝系数K远远小于1时，在晶体尾部，由于熔体杂质

浓度过高，组分过冷而使杂质局部富集，当晶体中杂质浓度超过其固溶度时发生的杂质析出现象，

3.128

缺口indent

上下贯穿边缘的缺损。

3.129

红外吸收系数(IR)infraredabsorptioncoefficient

波长为入的红外光通过半导体试样，试样透过率倒数的自然对数与试样光程之比。单位为cm"。

3.130