GB/T 14264-2024 半导体材料术语

ICS29.045

CCSH80

中华人民共和国国家标准

/—

GBT142642024

代替/—

GBT142642009

半导体材料术语

Terminoloofsemiconductormaterials

gy

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT142642024

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3一般术语…………………1

4材料制备与工艺…………………………33

5缺陷………………………38

6缩略语和简称……………47

索引…………………………50

Ⅰ

/—

GBT142642024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

/—《》,/—,

本文件代替GBT142642009半导体材料术语与GBT142642009相比除结构调整和编

,:

辑性改动外主要技术变化如下

———“”();

增加了宽禁带半导体等项术语及其定义见第章第章

2613~5

———“”();

删除了脊形崩边等项术语及其定义见年版的第章

6420093

———“”(,)。

更改了化合物半导体等项术语及其定义见第章第章年版的第章

623~520093

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准

SACTC203

化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。

SACTC203SC2

:、、

本文件起草单位有研半导体硅材料股份公司有色金属技术经济研究院有限责任公司北京大学

、、、

东莞光电研究院南京国盛电子有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司青海黄河上游水电开发有

、、、

限责任公司新能源分公司中国科学院上海光学精密机械研究所有研国晶辉新材料有限公司浙江中

、、、

晶科技股份有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司中环领先半导体材料有限公司新特能源股份

、、()、

有限公司宜昌南玻硅材料有限公司亚洲硅业青海股份有限公司中国电子科技集团公司第十三研

、、、、

究所四川永祥股份有限公司云南驰宏国际锗业有限公司麦斯克电子材料股份有限公司浙江海纳半

、、、

导体股份有限公司常州时创能源股份有限公司东莞市中镓半导体科技有限公司中国科学院半导体

研究所。

:、、、、、、、、、、、

本文件主要起草人孙燕贺东江李素青宁永铎丁晓民朱晓彤骆红普世坤秦榕杭寅郑安生

、、、、、、、、、、、、、

宫龙飞程凤伶黄笑容李国鹏金鹏王彬张雪囡邱艳梅刘文明尹东林孙聂枫李寿琴崔丁方

、、、。

史舸潘金平殷淑仪由佰玲

,,。

本文件于1993年首次发布2009年第一次修订本次为第二次修订

Ⅲ

/—

GBT142642024

半导体材料术语

1范围

,,。

本文件界定了半导体材料的一般术语和定义材料制备与工艺及缺陷的术语和定义以及缩略语

、、。

本文件适用于半导体材料的研发生产制备及相关领域

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3一般术语

3.1

半导体semiconductor

-512

,··,

导电性能介于导体与绝缘体之间室温下电阻率约为10Ωcm~10Ωcm由带正电的空穴

,、

和带负电的电子两种载流子参加导电并具有负的电阻温度系数以及光电导效应整流效应的固体

物质。

:、。

注半导体按其结构分为单晶体多晶体和非晶体

3.2

本征半导体intrinsicsemiconductor

,,。

晶格完整且不含杂质在热平衡条件下其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体

:,。

注通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质导电性能与理想情况很相近的半导体

3.3

元素半导体elementalsemiconductor

由单一元素的原子组成的半导体材料。

:、、。

注如硅锗金刚石等

3.4

化合物半导体comoundsemiconductor

p

由种或种以上不同元素按确定的原子配比形成的半导体材料。

22

:()、()、()、()、()、()、()

注如砷化镓GaAs磷化铟InP碲化镉CdTe碳化硅SiC氮化镓GaN氧化镓GaO铟镓氮InGaN和

()。

铝镓铟磷AlGaInP等

3.5

宽禁带半导体widebandasemiconductor

gp

通常为禁带宽度不低于2.3eV的半导体材料。

:,()、()、()、()、、

注常见宽禁带半导体材料有碳化硅SiC氮化镓GaN氧化锌ZnO氧化镓-GaO金刚石氮化铝

β23

()。

AlN等

3.6

半绝缘砷化镓semi-insulatinGaAs

g

7

电阻率大于·的砷化镓单晶。

1×10Ωcm

:。

注用作微电子器件的衬底材料

1