GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
GB/T 1558-2023 Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption
国家标准
中文简体
现行
页数：8页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。
发布历史
-
1997年12月
-
2009年10月
-
2023年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子科技集团公司第四十六研究所、青海芯测科技有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、中国计量科学研究院、有色金属技术经济研究院有限责任公司、开化县检验检测研究院、四川永祥新能源有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限公司、义乌力迈新材料有限公司、湖南三安半导体有限责任公司
- 起草人：
- 李静、何烜坤、刘立娜、李素青、索开南、马春喜、薛心禄、张雪囡、张海英、孙韫哲、王彦君、沈益军、赵跃、王军锋、李兰兰、邹剑秋、徐顺波、李寿琴、张宝顺、刘国霞、徐岩、李明达、陆勇、皮坤林、杜伟华
- 出版信息：
- 页数：8页 | 字数：17 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH17
中华人民共和国国家标准
/—
GBT15582023
代替/—
GBT15582009
硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
Testmethodforsubstitutionalcarboncontentinsiliconbinfraredabsortion
yp
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT15582023
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/—《》。/—
本文件代替GBT15582009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法与GBT15582009
,,:
相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
)(,);
更改了范围见第章年版的第章
a120091
)(,);
更改了术语和定义见第章年版的第章
b320093
)(,);
更改了方法原理见第章年版的第章
c420094
)(、、、,、、、),
d更改了干扰因素内容见5.25.35.45.62009年版的5.25.35.45.6新增了干扰因素
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