国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译：GB/T 1558-2023 Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption适用范围：本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-12-28 | 实施时间： 2024-07-01收藏 -
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译：YS/T 1654-2023 The method of chemical analysis for the determination of trace impurity element content using glow discharge mass spectrometry for nitrogen-doped gallium chemical analysis适用范围：本文件适用于氮化镓中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-12-20 | 实施时间： 2024-07-01收藏
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译：GB/T 24582-2023 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method适用范围：本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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译：GB/T 35306-2023 Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method适用范围：本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。 本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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译：YS/T 38.3-2023 The Chemical Analysis of High Purity Gallium - Part 3: Determination of Trace Impurity Element Content - Glow Discharge Mass Spectrometry适用范围：本文件适用于高纯镓中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-04-21 | 实施时间： 2023-11-01收藏
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译：YS/T 1600-2023 Determination of Trace Impurity Element Content in Silicon Carbide Single Crystals Using Plasma-Based Mass Spectrometry适用范围：本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-04-21 | 实施时间： 2023-11-01收藏
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译：YS/T 1601-2023 Determination of impurity content in hexachloroethane silane by inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本文件适用于六氯乙硅烷中杂质元素含量的测定，各元素测定范围为0.01 ng/g～50 ng/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-04-21 | 实施时间： 2023-11-01收藏
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译：GB/T 42276-2022 Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method适用范围：本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 42263-2022 Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method适用范围：本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 42274-2022 Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium,gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。 注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 37211.3-2022 Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3:Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry适用范围：本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 24581-2022 Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method适用范围：本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。 本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
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译：GB/T 41153-2021 Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2021-12-31 | 实施时间： 2022-07-01收藏
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译：YS/T 987-2021 The determination of carbon content in chlorosilanes by gas chromatography-mass spectrometry适用范围：本文件适用于氯硅烷中碳杂质（包括氯硅烷中的甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基一氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基一氯硅烷，统称甲基氯硅烷）含量的测定，测定范围（质量分数）为0.000 010%～0.10%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2021-12-02 | 实施时间： 2022-04-01收藏
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译：YS/T 1434-2021 Determination of Content of Hexachloroethenylsilane by Gas Chromatography适用范围：本文件适用于六氯乙硅烷中三氯氢硅、四氯化硅、六氯乙硅烷及其他组分含量的测定，各组分的测定范围（质量分数）为不小于0.001%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2021-12-02 | 实施时间： 2022-04-01收藏
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译：YS/T 1509.3-2021 The Chemical Analysis Method for Silicon-Carbon Composites as Negative Electrode Materials Part 3: Determination of Iron, Nickel, Zirconium, Calcium, Lead, Aluminum, and Hafnium Content by Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy (ICP-AES)适用范围：本文件适用于硅碳复合负极材料中铁、镍、锆、钙、铅、铝、铪含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2021-12-02 | 实施时间： 2022-04-01收藏
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译：YS/T 1509.2-2021 The Chemical Analysis Methods for Silicon-Carbon Composites Negative Electrode Materials Part 2: Determination of Carbon Content by High-Frequency Heating Infrared Absorption Method适用范围：本文件适用于硅碳复合负极材料中碳含量的测定。测定范围（质量分数）为60.00%~98.00%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2021-12-02 | 实施时间： 2022-04-01收藏
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译：YS/T 1509.1-2021 Silicon-carbon composite cathode material chemical analysis method - Part 1: Determination of silicon content by weight and spectrophotometric methods适用范围：本文件适用于硅碳复合负极材料中硅含量的测定。高氯酸脱水重量法测定范围（质量分数）为10.00%~30.00%，钼蓝分光光度法测定范围（质量分数）为1.00%~10.00%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2021-12-02 | 实施时间： 2022-04-01收藏
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译：YS/T 1392-2020 Determination of Content of Chlorosilane Components by Gas Chromatography适用范围：本标准适用于多晶硅生产用氯硅烷中各组分含量的测定。测定范围（体积分数）：二氯二氢硅为0.01 %～20 %，三氯氢硅、四氯化硅为0.01 %～100 %。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2020-12-09 | 实施时间： 2021-04-01收藏
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译：GB/T 39144-2020 Test method for magnesium content in gallium nitride materials—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。 本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于5×1014 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2020-10-11 | 实施时间： 2021-09-01收藏
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