GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
GB/T 6616-2023 Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge
国家标准
中文简体
现行
页数：10页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/～3.0×103 Ω/。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/～3.0×103 Ω/。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。
发布历史
-
1995年04月
-
2009年10月
-
2023年08月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、浙江旭盛电子有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司
- 起草人：
- 何烜坤、刘立娜、李素青、张颖、马春喜、张海英、潘金平、丁雄杰、任殿胜、王元立、朱晓彤、张雪囡、佘宗静、齐斐、许蓉、李明达、詹玉峰、黄笑容、边仿
- 出版信息：
- 页数：10页 | 字数：21 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT66162023
代替/—
GBT66162009
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层
电阻的测试非接触涡流法
Testmethodforresistivitofsemiconductorwafersandsheetresistanceof
y
—
semiconductorfilmsNoncontactedd-currentaue
ygg
2023-08-06发布2024-03-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT66162023
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
本文件代替/—《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法》,
GBT66162009
/—,,:
与GBT66162009相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下
)(,);
更改了范围见第章年版的第章
a120091
)(,);
更改了干扰因素见第章版的第章
b520095
)(,);
更改了试验条件见第章年版的
c
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