适用范围：本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料粉末压实密度测定方法的原理、试剂与材料、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度、试验报告等内容。 本文件适用于锂离子电池正极材料粉末压实密度的测定。

适用范围：本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。 本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/cm2～1 015 atoms/cm2。 本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

适用范围：本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

适用范围：本文件规定了取向电工钢的涂层对基体的张应力测试方法的原理、试样、测量步骤、计算、数值修约、测试报告。 本文件适用于公称厚度为0.15mm～0.35mm的取向电工钢带（片）。其他规格的电工钢带（片）可参照使用。

适用范围：本文件适用于锂离子电池正极活性物质镍钴锰酸锂的直流内阻（DCIR）测试。

适用范围：本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。 本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

适用范围：本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。 本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试，其他锂离子电池正极材料首次放电比容量及首次充放电效率的测试可参考本文件。

适用范围：本文件规定了测量压制金属粉末层的空气透过性和孔隙率，并得到外比表面积值的方法。在稳态流动条件下，采用层流空气在接近大气压的压力下确定粉末层的透过性。本文件不包括通过恒定体积法测量透过性的方法。本文件未指定特定的商业设备和相应的测试程序。但是，为方便用户起见，本文件列出了资料性附录（见附录A），旨在提供有关三种特定方法的一些实用信息。如果粉末有团聚现象，测量的外比表面积结果将受样品团聚程度的影响。如果相关方许可，可对团聚粉末进行分散处理（见附录B）。本文件适用于所有金属粉末，包括粒径不大于1 000 μm的硬质合金粉末，但通常用于粒径为0.2 μm～75 μm的颗粒。如相关方许可，本方法也可用于轴对称性差（例如薄片状和纤维状）的颗粒。本文件不适用于不同粉末的混合物和含有粘接剂或润滑剂的粉末。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。 本文件适用于锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率的测试，测试方法包括扣式半电池法和扣式全电池法。

适用范围：本文件规定了锂离子电池正极材料高温电化学性能测试方法，包括高温存储测试和高温循环测试。本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、富锂锰基等正极材料高温电化学性能测试。

适用范围：本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/～3.0×103 Ω/。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

适用范围：本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。

适用范围：本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

适用范围：本文件描述了采用光反射法以20°、60°或85°几何条件测试硅片表面光泽度的方法。 本文件适用于硅腐蚀片、抛光片、外延片表面光泽度的测试，不适用于表面有图形的硅片的测试。

适用范围：本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。 本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

适用范围：本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。 本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

适用范围：本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。

适用范围：本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。