适用范围：本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。 本文件适用于厚度为0.13 mm⁓1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。 本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

适用范围：本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法，包括化学腐蚀法和偏振光法。 本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试。

适用范围：本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。 本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

适用范围：本文件描述了精密电阻合金电阻温度系数的测试方法，包括原理、测试装置、试样制备及预处理、测试环境条件、测试方法、数据处理、数值修约以及测试报告。 本文件适用于在-65 ℃⁓250 ℃温度范围内，对精密电阻合金电阻温度系数的测试。其他金属材料在此温度范围内的电阻温度系数的测试参照执行。

适用范围：本文件描述了精密电阻合金热电动势率的测试方法，包括原理、测试装置、试样及制备、测试环境、测试程序、数据处理、精密度和准确度以及测试报告。 本文件适用于在-65 ℃～250 ℃范围内，精密电阻合金热电动势率的测试。其他金属材料在此温度范围内的热电动势率的测试参照执行。

适用范围：本文件描述了各类贵金属键合丝(以下简称“键合丝”)热影响区长度的扫描电镜测定方法。 本文件方法一适用于键合金丝热影响区长度的测定。 本文件方法二适用于直径不超过50 μm的纯金属、合金或复合类键合丝的热影响区长度测定。

适用范围：本文件描述了采用四探针法与两探针法测定锂离子电池正极材料粉末电阻率的方法。 本文件适用于锂离子电池正极材料粉末电阻率的测定。

适用范围：本文件描述了用单筒同轴圆筒旋转法测定液态金属表观黏度的方法。 本文件适用于在室温至200 ℃范围内进行液态金属表观黏度的测定。温度范围根据所使用的仪器进行扩展。

适用范围：本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料粉末压实密度测定方法的原理、试剂与材料、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度、试验报告等内容。 本文件适用于锂离子电池正极材料粉末压实密度的测定。

适用范围：本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。 本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/cm2～1 015 atoms/cm2。 本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

适用范围：本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

适用范围：本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。 本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

适用范围：本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。 本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试，其他锂离子电池正极材料首次放电比容量及首次充放电效率的测试可参考本文件。

适用范围：本文件规定了测量压制金属粉末层的空气透过性和孔隙率，并得到外比表面积值的方法。在稳态流动条件下，采用层流空气在接近大气压的压力下确定粉末层的透过性。本文件不包括通过恒定体积法测量透过性的方法。本文件未指定特定的商业设备和相应的测试程序。但是，为方便用户起见，本文件列出了资料性附录（见附录A），旨在提供有关三种特定方法的一些实用信息。如果粉末有团聚现象，测量的外比表面积结果将受样品团聚程度的影响。如果相关方许可，可对团聚粉末进行分散处理（见附录B）。本文件适用于所有金属粉末，包括粒径不大于1 000 μm的硬质合金粉末，但通常用于粒径为0.2 μm～75 μm的颗粒。如相关方许可，本方法也可用于轴对称性差（例如薄片状和纤维状）的颗粒。本文件不适用于不同粉末的混合物和含有粘接剂或润滑剂的粉末。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。 本文件适用于锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率的测试，测试方法包括扣式半电池法和扣式全电池法。

适用范围：本文件规定了锂离子电池正极材料高温电化学性能测试方法，包括高温存储测试和高温循环测试。本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、富锂锰基等正极材料高温电化学性能测试。

适用范围：本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

适用范围：本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。