GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
GB/T 43313-2023 Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
国家标准
中文简体
现行
页数：7页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-11-27
实施日期
2024-06-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
发布历史
-
2023年11月
研制信息
- 起草单位：
- 中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、浙江东尼电子股份有限公司
- 起草人：
- 姚康、刘立娜、何烜坤、李素青、马春喜、高飞、张红岩、陆敏、郑红军、房玉龙、芦伟立、丁雄杰、刘薇、李嘉炜、晏阳、钮应喜、杨玉聪、黄树福
- 出版信息：
- 页数：7页 | 字数：15 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT433132023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试
共焦点微分干涉法
Testmethodforsurfaceualitandmicroiedensitofolishedsilicon
qyppyp
—
carbidewafersConfocalanddifferentialinterferometrotics
yp
2023-11-27发布2024-06-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT433132023
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
。。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
本
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