GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

GB/T 43315-2023 Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique

国家标准中文简体现行页数：6页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 43315-2023

发布历史

2023年11月

GB/T 43315-2023　硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

当前标准现行 2023-11-27

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研制信息

起草单位：: 中环领先(徐州)半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦克斯电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司

起草人：: 朱志高、陈俊宏、陈凤林、高海棠、李素青、朱晓彤、由佰玲、吕莹、潘金平、张海英、胡晓亮、方丽霞、陈跃骅、黄景明

出版信息：: 页数：6页 | 字数：13 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT433152023

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

—

TestmethodforflowatterndefectsinsiliconwaferEtchintechniue

pgq

2023-11-27发布2024-06-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT433152023

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。

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GB/T 14264

GB/T 14264-2024 半导体材料术语

现行

GB/T 14264-1993 半导体材料术语

被代替

GB/T 14264-2009 半导体材料术语