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GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

GB/T 6621-2009 Testing methods for surface flatness of silicon slices

国家标准 中文简体 现行 页数：5页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 6621-2009
相关服务
商用授权
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

发布历史

文前页预览

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-第1页
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-第2页
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-第3页

研制信息

起草单位：
上海合晶硅材料有限公司
起草人：
徐新华、严世权、王珍
出版信息：
页数：5页 | 字数：7 千字 | 开本： 大16开

内容描述

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

／—

犌犅犜６６２１２００９

代替／—

ＧＢＴ６６２１１９９５

硅片表面平整度测试方法

犜犲狊狋犻狀犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉狊狌狉犳犪犮犲犳犾犪狋狀犲狊狊狅犳狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊

犵

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

／—

犌犅犜６６２１２００９

前言

本标准代替／—《硅抛光片表面平整度测试方法》。

ＧＢＴ６６２１１９９５

本标准与／—相比，主要变动如下：

ＧＢＴ６６２１１９９５

———将名称修改为“硅片表面平整度测试方法

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    GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法
    被代替

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