19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 26111-2023 微机电系统(MEMS)技术 术语 现行
    译:GB/T 26111-2023 Micro-electromechanical system technology—Terms
    适用范围:本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01
  • GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 现行
    译:GB/T 42191-2023 Test methods of the performances for MEMS piezoresistive pressure-sensitive device
    适用范围:本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。 本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-05-23 | 实施时间: 2023-09-01
  • GB/T 42158-2023 微机电系统(MEMS)技术 微沟槽和棱锥式针结构的描述和测量方法 现行
    译:GB/T 42158-2023 Micro-electromechanical systems technology(MEMS)—Description and measurement methods for micro trench and pyramidal needle structures
    适用范围:本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构,并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm~100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm~150 μm、深宽比为0.006 7~20。棱锥式针结构具有三个或四个面,其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大,并且外轮廓尺寸可包含于边长为100 μm的立方体内。 本文件适用于MEMS结构设计和MEMS结构加工后的几何形状评估。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-03-17 | 实施时间: 2023-07-01
  • DB35/T 2107-2022 紫外发光二极管测评方法 现行
    译:DB35/T 2107-2022 Ultraviolet LED evaluation methods
    适用范围:本文件规定了紫外发光二极管光谱辐射分布和光谱辐射照度测评的操作要求和操作步骤。 本文件适用于测评紫外线辐射峰值波长200 nm~410 nm的发光二极管。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间: 2022-12-27 | 实施时间: 2023-03-27
  • GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 现行
    译:GB/T 41853-2022 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
    适用范围:本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-10-12 | 实施时间: 2022-10-12
  • GB/T 41852-2022 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 现行
    译:GB/T 41852-2022 Semiconductor devices-Micro-electromechanical devices—Bend-and shear-type test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures
    适用范围:本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm~1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面,在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度,此外,界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化,极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法,以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛,用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广,本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-10-12 | 实施时间: 2022-10-12
  • T/HEBQIA 073-2022 直拉单晶硅用超导磁体 现行
    译:T/HEBQIA 073-2022 Superconducting magnet for Czochralski single crystal silicon
    适用范围:范围:本文件适用于有关企业制造的直拉单晶硅用超导磁体; 主要技术内容:本文件规定了直拉单晶硅用超导磁体的术语和定义、产品参数、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-04-23 | 实施时间: 2022-04-23
  • T/ZZB 2077-2021 三相桥式整流模块 现行
    译:T/ZZB 2077-2021 Three-phase bridge rectifier module
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了三相桥式整流模块的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于由六个整流管管芯组成,按壳温额定MDS30~MDS300型三相桥式整流模块(以下简称模块)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :K46电力半导体器件、部件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-03-01 | 实施时间: 2021-03-31
  • GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 现行
    译:GB/T 32817-2016 Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Generic specification for MEMS
    适用范围:本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-08-29 | 实施时间: 2017-03-01
  • JB/T 11623-2013 平面厚膜半导体气敏元件 现行
    译:JB/T 11623-2013 Planar thick film semiconductor gas sensor element
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :N05仪器、仪表用材料和元件
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 2013-12-31 | 实施时间: 2014-07-01
  • SJ/T 10135-2010 TEC1系列温差电致冷组件总规范 现行
    译:SJ/T 10135-2010 TEC1 Series Thermoelectric Cooling Module Total Specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L46温差电致冷组件与器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2010-12-29 | 实施时间: 2011-04-01
  • SJ/T 10136-2010 TES1系列温差电致冷组件总规范 现行
    译:SJ/T 10136-2010 Total specification for TES1 series thermoelectric cooling component
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L46温差电致冷组件与器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2010-12-29 | 实施时间: 2011-04-01
  • GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范 现行
    译:GB/T 15529-1995 Blank detail specification for LED numeric displays
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L45微波、毫米波二、三极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-06 | 实施时间: 1995-11-01
  • GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范 废止
    译:GB/T 15450-1995 Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-01-05 | 实施时间: 1995-08-01
  • GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范 现行
    译:GB/T 15449-1995 Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated swatching application
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-01-05 | 实施时间: 1995-08-01
  • JB/T 7622-1994 电力半导体器件工艺用有机硅漆 现行
    译:JB/T 7622-1994 Electrical semiconductor device process organic silicone paint
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :K10/19电工材料和通用零件
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 1994-12-09 | 实施时间: 1995-06-01
  • SJ/T 10535-1994 半导体器件用钨舟 现行
    译:SJ/T 10535-1994 Tungsten boat for semiconductor devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1994-08-08 | 实施时间: 1994-12-01
  • GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法 废止
    译:GB/T 4298-1984 The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1984-03-28 | 实施时间: 1985-03-01