GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 15450-1995 Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
基本信息
发布历史
-
1995年01月
研制信息
- 起草单位:
- -
- 起草人:
- 张松鹤、刘美英、王长福
- 出版信息:
- 页数:15页 | 字数:25 千字 | 开本: 大16开
内容描述
中华人民共和国国家标准
硅双栅场效应晶体管
空白详细规范
空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基原则制订该范围内的所有详细
规范应与空白详细规范一致
本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个并应与下列规范一起使用
半导体器件分立器件和集成电路总规范半导体器件分立器件分规范
要求资料
本页及下页括号内所示的数字对应于以下要求资料的项目并列入规定的栏目中
详细规范的识别
批准发布本详细规范的组织国家标准机构的名称
详细规范的号
总规范号分规范号和版本号
详细规范号发布日期及国家体系要求的任何更多的资料
器件的识别
器件类型的简单说明
典型结构和应用的资料
如果设计一种器件满足若干应用则应在详细规范中指出对于这些应用特性极限值及检验要求
均应满足
对静电敏感器件应写上警告说明
外形图和或引用有关的外形文件
质量评定类别
能在器件类型之间比较的最重要的特性参考数据
国家技术监督局批准实施
评定电子器件质量的根据
半导体器件分立器件和集成电路总规详细规范号如果规范号重复号
范则本栏可以不用
半导体器件分立器件分规范
详细规范
有关器件的型号定货资料见本规范的第条
机械说明简略说明
外形标准半导体分立器件外形尺寸双栅场效应晶体管
外形图型绝缘栅耗尽型
可以转到本规范的第条或在该条中给出更半导体材料
多的细节封装空腔和或非空腔
引出端识别应用
表示引出端功能包括图示符号注意静电敏感器件应遵守预防措施
标志字母图形或色码
如有数据详细规范应规定标志在器件上的数
据
见总规范的第条或本规范的第条
如果采用特殊方法则需极性标识
质量评定类别
根据总规范的第条
参考数据
按本详细规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料可在现行的合格一览表中查到
整个规范在方括号内给出的条款供指导规范制订者使用而不包括在详细规范里
整个规范用于特性和额定值外的表示在详细规范中填入的值
极限值绝对最大额定值
除非另有规定这些极限值在整个工作温度范围内适用
只重复使用带标题的条款号任何附加值应在适当的地方给出但没有条款号
最好在规范的第条给出曲线
数值
条款号极限值符号
最小最大
最低和最高工作温度或管壳温度或
最低和最高贮存温度
在规定条件下的最高漏源电压或
或
最高反向一栅源电压和二栅源电压
适当时最高正向一栅源电压和二栅源电压
源极开路时的最高一栅漏电压和二栅漏电压
最大漏极电流
耗散功率应规定通风和或安装的特殊要求
温度为函数时的最大耗散功率或
最高有效沟道温度和耗散功率的绝对极限值
注当条中规定了沟道温度时只要求热阻
电特性
检验要求见本规范第章
特性和条件见总规范的第章数值
条款号符号试验组别
除非另有规定最小最大
源极开路二栅漏电压为零时最好
在最高额定一栅漏电压下的最大漏泄
或截止电流
源极开路一栅漏电压为零时最好
在最高额定二栅漏电压下的最大漏泄
或截止电流
漏源短路时二栅源电压为零最好
在最高额定一栅源电压下的最大漏泄
或截止电流
特性和条件见总规范的第章数值
条款号符号试验组别
除非另有规定最小最大
漏源短路时一栅源电压为零最好
在最高额定二栅源电压下的最大漏泄
或截止电流
漏源短路时二栅源电压为零最好
在最高额定一栅源电压下的最大漏泄
或截止电流
漏源短路时一栅源电压为零最好
在最高额定二栅源电压下的最大漏泄
或截止电流
在规定和规定或下的最大栅
源漏泄或截止电流
在规定和规定或下的最大栅
源漏泄或截止电流
源极开路时为零最好在最高
额定的和之间及高温条件下
的最大漏泄或截止电流
源极开路时为零最好在最高
额定的和之间及高温条件下
的最大漏泄或截止电流
漏源短路时为零最好在最高
额定的和之间及高温条件下
的最大漏泄或截止电流
漏源短路时为零最好在最高
额定的
定制服务
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