适用范围：本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。 本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层（3nm节点）的质量控制

适用范围：主要技术内容:本标准规定了低温余热收集用半导体温差发电（TEG）器件的产品型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存，适用于此类器件的生产和检验。其中，产品型号命名由 6 个部分组成，涵盖半导体温差发电器件符号、级数、pn 电偶总对数等信息；技术要求涉及外观、热电参数、引出线强度、可靠性、有害元素含量等方面；试验方法对各项要求的检测条件和操作做出了明确规定；检验分为定型检验、交收检验和例行检验，不同检验的时机、项目、抽样及合格判定规则各异；同时还对产品的标志、包装、运输和贮存提出了相应要求。This standard specifies the product type, technicalrequirements, test methods, inspection rules,marking, packaging, transportation and storage of semiconductor thermoelectric powergeneration (TEG) devices for low-temperature waste heat collection, and is applicable to theproduction and inspection of such devices. Among them, the product model naming consistsof 6 parts, covering the symbol of semiconductor thermoelectric power generation devices, thenumber of stages, the total number of PN couples and other information; The technicalrequirements involve appearance, thermoelectric parameters, lead-out strength, reliability, harmfulelement content, etc.; The test method clearly stipulates the required test conditions andoperations; The i

适用范围：主要技术内容:本文件规定了单个芯片以及带金属结构（引入金属层、植球植柱等）芯片的贮存条件和规则，同时为含有芯片的通用和专用封装产品提供了操作指导。本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片的长期贮存

适用范围：范围:本文件适用于有关企业制造的直拉单晶硅用超导磁体; 主要技术内容:本文件规定了直拉单晶硅用超导磁体的术语和定义、产品参数、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了三相桥式整流模块的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量承诺。本文件适用于由六个整流管管芯组成，按壳温额定MDS30～MDS300型三相桥式整流模块(以下简称模块)