• 标准状态 
  1. 全部
  2. 现行
  3. 即将实施
  4. 被代替
  5. 废止
  6. 废止转行标
• 发布年份 
  1. 全部
  2. 2025
  3. 2024
  4. 2023
  5. 2022
  6. 2021
  7. 2020及以前

• 现行
  T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法
  译：T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method
  适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件
  【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
  发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2024-12-23 | 实施时间： 2024-12-30
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• 现行
  T/SZECC 001-2024 新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范
  译：T/SZECC 001-2024 Electric vehicle-specific insulated gate bipolar transistor (IGBT) technical specifications
  适用范围：主要技术内容:本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计、生产和应用
  【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：暂无
  发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2024-10-29 | 实施时间： 2024-11-28
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