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现行
译：GB/T 4587-2023 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors
适用范围：本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-09-07 | 实施时间： 2024-04-01
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现行
译：SJ/T 11851-2022
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11824-2022
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 11765-2020 Transistor low-frequency noise parameter testing method
适用范围：适用于双极型晶体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2020-12-09 | 实施时间： 2021-04-01
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现行
译：GB/T 37660-2019 Technical specification of power electronic devices for high-voltage direct current(HVDC) transmission using voltage sourced converters(VSC)
适用范围：本标准规定了柔性直流输电用电力电子器件的术语和定义、额定值和特性、试验、标志和订货单。
本标准适用于柔性直流输电用IGBT-二极管对，柔性直流输电用其他类型的全控型电力电子器件也可参照执行。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2019-06-04 | 实施时间： 2020-01-01
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现行
译：SJ/T 9014.8.2-2018 Semiconductor Devices, Discrete Devices Part 8-2: Ultra Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Blank Specification Manual
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2018-04-30 | 实施时间： 2018-07-01
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现行
译：SJ/T 1480-2016 The detailed specification of a high-frequency small-power silicon PNP transistor type 3CG130
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1826-2016 Semiconductor discrete device 3DK100 type NPN silicon small power switching transistor specification in detail
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1832-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor model 3DK102 in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1830-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK101 in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1472-2016 Detailed specification for high frequency small power silicon PNP transistor type 3CG110 in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1486-2016 Semiconductor discrete device 3CG180 silicon PNP high frequency and high reverse voltage small power transistor detailed specification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1838-2016 Detailed specification of the 3DK29 type NPN silicon small power switching transistor for semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1831-2016 Detailed specification for 3DK28 type NPN silicon small power switching transistor in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1477-2016
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1833-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor model 3DK103 in semiconductor discrete devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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现行
译：SJ/T 1834-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK104 type semiconductor discrete device
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01
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