二极管（分类列表）最全国家标准、行业标准-第1页-准行天下

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SJ/T 11845.3-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法第3部分：二极管

译：SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01

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GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

译：GB/T 4023-2015 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2: Rectifier diodes

适用范围：本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-12-31 | 实施时间： 2017-01-01

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SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

译：SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L50/54光电子器件

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01

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DB52/T 860-2013 5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范

译：DB52/T 860-2013 Detailed specification for 5KP series silicon transient voltage suppressor diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01

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DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范

译：DB52/T 861-2013 Model 2CB003 Silicon Avalanche Rectifier Diode Detailed Specification

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01

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JB/T 8949.2-2013 普通整流管第2部分：平板形器件

译：JB/T 8949.2-2013

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 8949.1-2013 普通整流管第1部分：螺栓形器件

译：JB/T 8949.1-2013

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

译：JB/T 7624-2013

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则

译：GB/T 4937.1-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 1:General

适用范围：本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L40/49半导体分立器件

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01

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GB/T 4937.2-2006 半导体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压

译：GB/T 4937.2-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 2:Low air pressure

适用范围：本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L40/49半导体分立器件

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01

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GB/T 6589-2002 半导体器件分立器件第3-2部分：信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范

译：GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-12-04 | 实施时间： 2003-05-01

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GB/T 6588-2000 半导体器件分立器件第3部分：信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

译：GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2000-10-17 | 实施时间： 2001-10-01

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GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分：整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

译：GB/T 6351-1998 Semiconductor devices Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes), ambient and case-rated,up to 100A

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L43半导体整流器件

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01

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GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

译：GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-07 | 实施时间： 1998-09-01

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GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

译：GB/T 16894-1997 Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-06-28 | 实施时间： 1998-03-01

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GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号(包括开关)和调整二极管

译：GB/T 6571-1995 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L42半导体三极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-07-24 | 实施时间： 1996-04-01

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GB/T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范

译：GB/T 15177-1994 Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01

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GB/T 15178-1994 变容二极管空白详细规范

译：GB/T 15178-1994 Blank detail specification for variable capacitance diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01

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GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范

译：GB/T 15137-1994 Blank detail specification for gunn diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-06-25 | 实施时间： 1995-04-01

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GB/T 13063-1991 电流调整和电流基准二极管空白详细规范

译：GB/T 13063-1991 Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L41半导体二极管

发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1991-07-06 | 实施时间： 1992-03-01

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