适用范围：主要技术内容:本文件规定了检测车规级功率半导体模块动态特性的双脉冲测试和短路测试的平台、方法和数据处理的要求。本文件适用于车规级IGBT和二极管功率半导体模块，SiC MOSFET和GaN等芯片封装而成的车规级功率模块也可参考本文件

适用范围：范围:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行

适用范围：范围:本文件规定了半导体功率芯片散热系统的系统组成、散热材料、安装要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体功率芯片的散热系统; 主要技术内容:本文件规定了半导体功率芯片散热系统的系统组成、散热材料、安装要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体功率芯片的散热系统

适用范围：范围:本文件适用于没有经过喷漆或电镀的半导体设备零配件的清洗; 主要技术内容:本文件规定了半导体设备零配件清洗的一般要求、表面处理、化学清洗、外观面检验、标识、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件

适用范围：范围:本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等; 主要技术内容:本文件规定汽车用射频前端芯片的可靠性要求、制式功能要求、技术要求和试验方法。本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等

适用范围：范围:本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测，其它非乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测参照执行; 主要技术内容:本文件规定了乘用车及商用车车身域控制器场效应管的分类、参数要求及封装、技术要求、检测方法、包装、贮存、标识要求。本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测，其它非乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测参照执行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计、生产和应用

适用范围：主要技术内容:前言.I引言.IIESD/TVS静电保护类器件测试规范.11  范围.12  规范性引用文件.13  术语和定义.13.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge.13.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor.13.3  击穿电压Breakdown Voltage.23.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage.23.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current.23.6  箝位电压Clamping Voltage.23.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power .23.8  结电容Junction capacitor.23.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse.23.10  I-V特性曲线.23.11  C-V特性曲线.23.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse.34  分类型号.34.1 分类.34.2 型号.35  测试方法.45.1 总则.45.2 测试目的.45.3 测试条件.45.4 测试设备和装置.55.5测试关键指标.55.6 测试内容.55.7 关键参数示例.6

适用范围：主要技术内容:前言.31 范围.42 规范性引用文件.43术语和定义.44产品命名规则.65技术要求.66试验方法.87检验规则.98标志、包装、运输、贮存.9

适用范围：范围:本文件规定了低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作的总则 、电子元器件制作流程 、检验与测试。 本文件适用于低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程; 主要技术内容:本文件规定了低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作的总则 、电子元器件制作流程 、检验与测试 

适用范围：范围:本文件可用于晶圆级和封装级器件产品测试，但应考虑器件热特性，尽量减少自热效应对测试结果带来的影响。未切割的小功率晶圆级器件相对其功率等级具有较好的散热能力，而大功率晶圆级器件和封装级器件可能在连续大电流测试过程结温明显上升，需要进行散热处理; 主要技术内容:本文件描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：范围:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：范围:本文件适用于半导体器件加工; 主要技术内容:本文件规定了半导体器件加工的缩略语、一般要求、加工工艺、标识、记录、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等

适用范围：主要技术内容:X射线实时成像技术是一种由X射线接收装置和监视器来代替传统射线照相中的胶片得到X射线图像的无损检测技术。使用X射线接收装置将不可见的X射线转换为数字或模拟信号，经图像成像及处理后呈现在显示器上。利用X射线穿透不同物质时呈现出不同程度衰减的原理，在X射线图像中显示出明暗度差异。图像处理系统克服因为X射线源和X射线探测器不同及焊接层材料密度不同、厚度不均等原因导致的图像明暗度有差异，图层不好分割的困难，将图像分割为焊盘和空洞两个图层。图像处理系统计算出空洞图层中空洞面积与焊盘图层中焊盘面积的比值，即焊接层的空洞率，达到DBC基板一次焊接和二次焊接层焊接质量检测的目的

适用范围：主要技术内容:本标准界定了硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier, SiPM）可靠性评定的一般要求和试验方法。本标准适用于所有硅光电倍增管的可靠性评估，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。其他类型的雪崩器件可参照执行

适用范围：主要技术内容:本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用于光电耦合器件（以下简称器件）可靠性评价的低频噪声参数、评价方法及方法应用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了单个芯片以及带金属结构（引入金属层、植球植柱等）芯片的贮存条件和规则，同时为含有芯片的通用和专用封装产品提供了操作指导。本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片的长期贮存