适用范围：本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

适用范围：本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm～1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面，在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度，此外，界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化，极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法，以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛，用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广，本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。

适用范围：本文件规定了大功率半导体分立器件（以下简称器件）间歇寿命试验的术语和定义、试验系统、试 验程序、失效判据及试验报告的要求。 本文件适用于大功率双极型晶体管、场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、二极管等半导体分立器 件的间歇寿命试验。

适用范围：适用于液晶显示背光组件用 LED 蓝光芯片。其他芯片可参考使用

适用范围：适用于双极型晶体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行

适用范围：适用于二极管1 Hz～300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试

适用范围：适用于光电耦合器件1 Hz～300 kHz 频率范围内噪声参数的测试

适用范围：GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法，以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。 本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具，但并不确保相同编码的封装具有互换性。

适用范围：本标准适用于SiC基半导体分立器件的设计、生产制造和供货

适用范围：本标准规定了柔性直流输电用电力电子器件的术语和定义、额定值和特性、试验、标志和订货单。 本标准适用于柔性直流输电用IGBT-二极管对，柔性直流输电用其他类型的全控型电力电子器件也可参照执行。

适用范围：GB/T 4937的本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）。 本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

适用范围：GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

适用范围：GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。