GB/T 43366-2023 宇航用半导体分立器件通用规范

GB/T 43366-2023 General specification for discrete semiconductor devices of space application

国家标准 中文简体 现行 页数:40页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 43366-2023
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2023-11-27
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)
适用范围
本文件规定了宇航用半导体分立器件(以下简称“器件”)的通用要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计、生产、检验和销售。

发布历史

研制信息

起草单位:
中国运载火箭技术研究院、中国空间技术研究院、西安电子科技大学、济南市半导体元件实验所、北京中科新微特科技开发股份有限公司、国营第八七三厂、深圳吉华微特电子有限公司、朝阳微电子科技股份有限公司
起草人:
加春雷、张伟、李彭、丛忠超、张爱学、熊盛阳、孙岩、张莹、薛军帅、崔同、王迎春、张彦飞、李寿全、陈江、曲赫然、李志福
出版信息:
页数:40页 | 字数:79 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS49.035

CCSV25

中华人民共和国国家标准

/—

GBT433662023

宇航用半导体分立器件通用规范

Generalsecificationfordiscretesemiconductordevices

p

ofsacealication

ppp

2023-11-27发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT433662023

目次

前言…………………………Ⅴ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………2

4技术要求…………………3

4.1总体要求……………3

4.2质量保证等级………………………3

4.3设计…………………3

4.4材料…………………3

4.5标识…………………3

4.6生产过程……………6

4.7外协加工和外购芯片………………7

4.8基本要求……………8

5试验方法…………………12

5.1内部目检……………12

5.2外观及尺寸检查……………………12

5.3参数性能……………12

5.4高温寿命……………12

5.5温度循环……………12

5.6二极管耐久性试验…………………12

5.7晶体管耐久性试验…………………12

5.8引线键合强度………………………13

扫描电子显微镜检查()………………………

5.9SEM13

5.10浪涌………………13

5.11热响应……………13

5.12恒定加速度………………………13

5.13粒子碰撞噪声检测试验…………13

5.14细检漏……………13

5.15粗检漏……………13

5.16晶体管高温反偏…………………13

5.17功率FET高温反偏………………13

5.18二极管高温反偏…………………14

5.19X射线照相………………………14

/—

GBT433662023

5.20超声扫描…………………………14

5.21可焊性……………14

5.22耐溶剂……………14

(—)……………

5.23热冲击液体液体14

5.24间歇工作寿命……………………14

5.25二极管热阻………………………14

5.26双极型晶体管热阻………………14

5.27功率FET热阻……………………14

5.28闸流晶体管热阻…………………14

5.29IGBT热阻…………………………14

5.30GaAsFET热阻…………………15

5.31重量………………15

5.32耐湿………………15

5.33冲击………………15

5.34扫频振动…………………………15

()………………

推荐标准

关联标准

相似标准推荐

更多>