GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管
GB/T 15291-2015 Semiconductor devices—Part 6:Thyristors
基本信息
——(反向阻断)(三极)晶闸管;
——不对称(反向阻断)(三极)晶闸管;
——反向导通(三极)晶闸管;
——双向三极晶闸管;
——门极可关断晶闸管(GTO晶闸管)。
本部分不适用晶闸管浪涌抑制器和双向二极晶闸管。
发布历史
-
1994年12月
-
2015年12月
研制信息
- 起草单位:
- 西安电力电子技术研究所、湖北台基半导体股份有限公司、株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部、浙江硅都电力电子有限公司
- 起草人:
- 秦贤满、颜家圣、刘国友、沈首良
- 出版信息:
- 页数:137页 | 字数:250 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31.080.20
K46
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT152912015IEC60747-62000
代替/—
GBT152911994
半导体器件
:
第部分晶闸管
6
—:
SemiconductordevicesPart6Thristors
y
(:,)
IEC60747-62000IDT
2015-12-31发布2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—/:
GBT152912015IEC60747-62000
目次
前言…………………………Ⅸ
引言…………………………Ⅺ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
3.1晶闸管的类型………………………2
三极晶闸管静态电压电流特性的基本术语………
3.2-5
二极晶闸管静态电压电流特性的基本术语………
3.3-6
(、)……
三极晶闸管和二极晶闸管静态电压电流特性见图图
3.4-127
:………………………
3.5额定值和特性的术语主电压7
:……………………
3.6额定值和特性的术语主电流10
:,………
3.7额定值和特性的术语门极电压门极电流14
:,…………………
3.8额定值和特性的术语功率能量17
:……………………
3.9额定值和特性的术语恢复时间和其他特性21
4文字符号…………………28
4.1通则…………………28
4.2附加的通用下标……………………28
4.3文字符号表…………………………28
,()…………
主电压阳极阴极电压参见图
4.3.1-1529
,,()……………………
4.3.2主电流阳极电流阴极电流参见图1630
4.3.3门极电压………………………31
4.3.4门极电流………………………31
4.3.5时间量…………………………31
4.3.6其他量…………………………32
4.3.7损耗功率………………………32
5反向阻断三极晶闸管和反向导通三极晶闸管的基本额定值和特性…………………32
5.1热条件………………32
5.1.1推荐温度………………………33
5.1.2额定条件………………………33
()………………………
5.2电压和电流额定值极限值33
反向不重复峰值电压()…………………
5.2.1VRSM33
反向重复峰值电压()……………………
5.2.2VRRM33
()()…………
5.2.3反向工作峰值电压VRWM适用时33
()()…………………
5.2.4反向直流电压VR适用时33
断态不重复峰值电压()…………………
5.2.5VDSM33
断态重复峰值电压()……………………
5.2.6VDRM33
()()…………
5.2.7断态工作峰值电压VDWM适用时33
Ⅰ
/—/:
GBT152912015IEC60747-62000
()()………………
5.2.8断态直流电压V()适用时34
DD
()()…………
5.2.9门极正向峰值电压阳极相对于阴极为正VFGM34
()()………
5.2.10门极正向峰值电压阳极相对于阴极为负VFGM34
()()………
5.2.11门极反向峰值电压VRGM适用时34
通态平均电流(())………………………
5.2.12I34
TAV
()()………
5.2.13通态重复峰值电流I适用时34
TRM
()()…………
5.2.14通态方均根电流I()适用时34
TRMS
()()……………
5.2.15通态过载电流I()适用时34
TOV
通态浪涌电流()…………
5.2.16I35
TSM
()()……………
5.2.17通态直流电流I()适用时35
TD
()()…………
5.2.18较高频率正弦波通态峰值电流I适用时35
TRM
()()…………
5.2.19较高频率梯形波通态峰值电流I适用时36
TRM
通态电流临界上升率(/)………………
5.2.20didt37
管壳不破裂峰值电流()………………
5.2.21I37
RSMC
门极正向峰值电流()…………………
5.2.22I38
FGM
()………………
5.3其他额定值极限值38
5.3.1频率额定值……………………38
门极损耗峰值功率()……………………
5.3.2PGM38
5.3.3环境额定和管壳额定的晶闸管………………38
贮存温度()………………
5.3.4Tst38
g
()()………………………
5.3.5等效结温Tj适用时38
5.4电特性………………38
()……………
5.4.1通态特性适用时38
通态电压()…………………
5.4.2VT38
维持电流()…………………
5.4.3I39
H
擎住电流()…………………
5.4.4I39
L
断态重复峰值电流()……………………
5.4.5I39
DRM
反向重复峰值电流()……………………
5.4.6I39
RRM
门极触发电流和门极触发电压(,)…………………
5.4.7IV39
GTGT
门极不触发电流和门极不触发电压(,)……………
5.4.8IV39
GDGD
门极控制延迟时间()………………………
5.4.9td40
g
电路换向关断时间()………………………
5.4.10t40
q
断态电压临界上升率(/)………………
5.4.11dvdt41
总损耗功率()……………
5.4.12Ptot41
()(),…………
5.4.13恢复电荷Qr适用时见图2443
()(),………………
5.4.14反向恢复峰值电流I适用时见图2443
RM
()(),……………………
5.4.15反向恢复时间t适用时见图2443
rr
5.5热特性………………43
结环境热阻(())…………
5.5.1-Rth-a43
j
结管壳热阻(())…………
5.5.2-Rth-c43
j
管壳散热器热阻(())……………………
5.5.3-Rthc-h44
结散热器热阻(())………………………
5.5.4-Rth-h44
j
结环境瞬态热阻抗(())…………………
5.5.5-Zth-a44
j
Ⅱ
/—/:
GBT152912015IEC60747-62000
结管壳瞬态热阻抗(())…………………
5.5.6-Zth-c44
j
结散热器瞬态热阻抗(())………………
5.5.7-Zth-h44
j
5.6机械特性和其他数据………………44
5.7应用资料……………44
6双向三极晶闸管的基本额定值和特性…………………44
6.1热条件………………44
6.1.1推荐温度………………………44
6.1.2额定条件………………………44
()………………………
6.2电压和电流额定值极限值45
断态不重复峰值电压()…………………
6.2.1VDSM45
断态重复峰值电压()……………………
6.2.2VDRM45
断态工作峰值电压()……………………
6.2.3VDWM45
正门极峰值电压()………………………
6.2.4VFGM45
负门极峰值电压()………………………
6.2.5VRGM45
通态方均根电流(())……………………
6.2.6I45
TRMS
()()…………
6.2.7通态重复峰值电流I适用时45
TRM
通态过载电流(())………………………
6.2.8I45
TOV
通态浪涌电流()…………
6.2.9I45
TSM
通态电流临界上升率(/)………………
6.2.10didt46
6.2.11门极电流……………………46
()………………
6.3其他额定值极限值46
6.3.1频率额定值……………………46
门极平均功率(())………………………
6.3.2PGAV46
门极峰值功率()…………
6.3.3PGM46
6.3.4环境额定和管壳额定的双向三极晶闸管……………………46
贮存温度()………………
6.3.5Tst47
g
等效结温()…………………
6.3.6Tj47
(,)………
6.4电特性除另有说明外在环境温度或管壳温度25℃时47
()……………
6.4.1通态特性适用时47
通态电压()…………………
6.4.2VT47
维持电流()…………
推荐标准
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