适用范围：本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构，并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm～100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm～150 μm、深宽比为0.006 7～20。棱锥式针结构具有三个或四个面，其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大，并且外轮廓尺寸可包含于边长为100 μm的立方体内。 本文件适用于MEMS结构设计和MEMS结构加工后的几何形状评估。

适用范围：本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

适用范围：本文件规定了空间行波管加速寿命试验及基于此试验的寿命评估技术规范。 本文件适用于空间行波管的寿命评估。

适用范围：本文件规定了紫外发光二极管光谱辐射分布和光谱辐射照度测评的操作要求和操作步骤。 本文件适用于测评紫外线辐射峰值波长200 nm～410 nm的发光二极管。

适用范围：范围:本文件适用于耳温枪温度传感器; 主要技术内容:本文件规定了耳温枪温度传感器的术语和定义、工作环境、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

适用范围：本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm～1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面，在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度，此外，界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化，极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法，以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛，用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广，本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。