19 试验
65 农业
77 冶金
  • SJ/T 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)门类规范 现行
    译:SJ/T 11975-2025 Power system insulation gate bipolar transistor (IGBT) specification for packaging and categories
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • SJ/T 11974-2025 轨道交通牵引用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范 现行
    译:SJ/T 11974-2025 Electrical specification for isolation gate bipolar transistor (IGBT) module
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • SJ/T 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)平板陶瓷管壳 现行
    译:SJ/T 11972-2025 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Flat Ceramic Housing/Shell
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • SJ/T 11973-2025 新能源汽车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块门类规范 现行
    译:SJ/T 11973-2025 Electric vehicle (EV) insulation gate bipolar transistor (IGBT) module category specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01
  • SJ/T 11845.2-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第2部分:光电耦合器件 现行
    译:SJ/T 11845.2-2022 Electronic Component Reliability Evaluation Method Based on Low-frequency Noise Parameters - Part 2: Optoelectronic Coupling Devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11845.3-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分:二极管 现行
    译:SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范 现行
    译:SJ/T 11867-2022 Silicon substrate blue light small power light-emitting diode detailed specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11851-2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 现行
    译:SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11874-2022 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序 现行
    译:SJ/T 11874-2022 Stress test procedure for discrete semiconductors used in electric vehicles
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11850-2022 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 现行
    译:SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范 现行
    译:SJ/T 11869-2022 Silicon-substrate white-light power LED chip specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范 现行
    译:SJ/T 11868-2022 Silicon-substrate blue power LED chip specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11460.3.1-2021 液晶显示用背光组件 第 3-3-1 部分:电视接收机用直下式 LED背光组件详细规范 现行
    译:SJ/T 11460.3.1-2021 Liquid crystal display backlight assembly for TV receiver use - Part 3-3-1: Direct-lit LED backlight assembly specification for TV receiver application
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2021-03-05 | 实施时间: 2021-06-01
  • SJ/T 11765-2020 晶体管低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11765-2020 Transistor low-frequency noise parameter testing method
    适用范围:适用于双极型晶体管与场效应晶体管,其他晶体管产品可参照执行
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范 现行
    译:SJ/T 11758-2020 The performance specifications of LED chips used in liquid crystal display backlight components
    适用范围:适用于液晶显示背光组件用 LED 蓝光芯片。其他芯片可参考使用
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11767-2020 SJ/T 11767-2020 Diode Low Frequency Noise Parameter Test Method
    适用范围:适用于二极管1 Hz~300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11766-2020 SJ/T 11766-2020 Optical coupler low frequency noise parameter testing method
    适用范围:适用于光电耦合器件1 Hz~300 kHz 频率范围内噪声参数的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01