国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译:SJ/T 11975-2025 Power system insulation gate bipolar transistor (IGBT) specification for packaging and categories【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11974-2025 Electrical specification for isolation gate bipolar transistor (IGBT) module【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11972-2025 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Flat Ceramic Housing/Shell【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11973-2025 Electric vehicle (EV) insulation gate bipolar transistor (IGBT) module category specification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2025-05-09 | 实施时间: 2025-08-01收藏 -
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译:SJ/T 11845.2-2022 Electronic Component Reliability Evaluation Method Based on Low-frequency Noise Parameters - Part 2: Optoelectronic Coupling Devices【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11867-2022 Silicon substrate blue light small power light-emitting diode detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11874-2022 Stress test procedure for discrete semiconductors used in electric vehicles【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11869-2022 Silicon-substrate white-light power LED chip specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11868-2022 Silicon-substrate blue power LED chip specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
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译:SJ/T 11460.3.1-2021 Liquid crystal display backlight assembly for TV receiver use - Part 3-3-1: Direct-lit LED backlight assembly specification for TV receiver application【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2021-03-05 | 实施时间: 2021-06-01收藏 -
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译:SJ/T 11765-2020 Transistor low-frequency noise parameter testing method适用范围:适用于双极型晶体管与场效应晶体管,其他晶体管产品可参照执行【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01收藏 -
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译:SJ/T 11758-2020 The performance specifications of LED chips used in liquid crystal display backlight components适用范围:适用于液晶显示背光组件用 LED 蓝光芯片。其他芯片可参考使用【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01收藏 -
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译:SJ/T 11767-2020 SJ/T 11767-2020 Diode Low Frequency Noise Parameter Test Method适用范围:适用于二极管1 Hz~300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01收藏 -
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译:SJ/T 11766-2020 SJ/T 11766-2020 Optical coupler low frequency noise parameter testing method适用范围:适用于光电耦合器件1 Hz~300 kHz 频率范围内噪声参数的测试【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01收藏