19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 15651.5-2024 半导体器件 第5-5部分:光电子器件 光电耦合器 现行
    译:GB/T 15651.5-2024 Semiconductor devices—Part 5-5:Optoelectronic devices—Photocouplers
    适用范围:本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-03-15 | 实施时间: 2024-07-01
  • GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管 现行
    译:GB/T 15651.6-2023 Semiconductor devices—Part 5-6:Optoelectronic devices—Light emitting diodes
    适用范围:本文件规定了一般工业应用的发光二极管(LED)的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定,涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型:a)LED器件;b)LED平面发光器件;c)LED数字显示和字母数字显示;d)显示用点阵LED;e)红外发射二极管(IR LED);f)紫外发射二极管(UV LED)。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-09-07 | 实施时间: 2024-04-01
  • DB35/T 2107-2022 紫外发光二极管测评方法 现行
    译:DB35/T 2107-2022 Ultraviolet LED evaluation methods
    适用范围:本文件规定了紫外发光二极管光谱辐射分布和光谱辐射照度测评的操作要求和操作步骤。 本文件适用于测评紫外线辐射峰值波长200 nm~410 nm的发光二极管。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间: 2022-12-27 | 实施时间: 2023-03-27
  • SJ/T 11845.2-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第2部分:光电耦合器件 现行
    译:SJ/T 11845.2-2022 Electronic Component Reliability Evaluation Method Based on Low-frequency Noise Parameters - Part 2: Optoelectronic Coupling Devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管详细规范 现行
    译:SJ/T 11867-2022 Silicon substrate blue light small power light-emitting diode detailed specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范 现行
    译:SJ/T 11869-2022 Silicon-substrate white-light power LED chip specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范 现行
    译:SJ/T 11868-2022 Silicon-substrate blue power LED chip specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11460.3.1-2021 液晶显示用背光组件 第 3-3-1 部分:电视接收机用直下式 LED背光组件详细规范 现行
    译:SJ/T 11460.3.1-2021 Liquid crystal display backlight assembly for TV receiver use - Part 3-3-1: Direct-lit LED backlight assembly specification for TV receiver application
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2021-03-05 | 实施时间: 2021-06-01
  • SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范 现行
    译:SJ/T 11758-2020 The performance specifications of LED chips used in liquid crystal display backlight components
    适用范围:适用于液晶显示背光组件用 LED 蓝光芯片。其他芯片可参考使用
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • SJ/T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11766-2020
    适用范围:适用于光电耦合器件1 Hz~300 kHz 频率范围内噪声参数的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L50/54光电子器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • GB/T 32872-2016 空间科学照明用LED筛选规范 现行
    译:GB/T 32872-2016 Screening specifications for illumination LEDs in space sciences
    适用范围:本标准规定了空间科学照明用LED(Light Emitting Diode)筛选项目和程序、筛选方法、参数测量和合格判定。本标准适用于空间科学照明用额定功率1 W和1 W以上封装的单芯LED的筛选,其他功率级别的LED也可参照执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-08-29 | 实施时间: 2016-11-01
  • SJ/T 11460.3-2016 液晶显示用背光组件 第3-3部分:电视接收机用LED背光组件空白详细规范 现行
    译:SJ/T 11460.3-2016
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-04-05 | 实施时间: 2016-09-01
  • SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法 现行
    译:SJ/T 2749-2016
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2016-01-15 | 实施时间: 2016-06-01
  • SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则 现行
    译:SJ/T 2658.1-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 1: General Rules
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容 现行
    译:SJ/T 2658.4-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods - Part 4: Total Capacitance
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽 现行
    译:SJ/T 2658.10-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 现行
    译:SJ/T 2658.3-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻 现行
    译:SJ/T 2658.5-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角 现行
    译:SJ/T 2658.9-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 9: Spatial Distribution of Radiation Intensity and Half-Power Beam Angle
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率 现行
    译:SJ/T 2658.6-2015 Semiconductor Infrared Emitter Diode Measurement Methods - Part 6: Radiated Power
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01