GB/T 15651.5-2024 半导体器件 第5-5部分:光电子器件 光电耦合器
GB/T 15651.5-2024 Semiconductor devices—Part 5-5:Optoelectronic devices—Photocouplers
基本信息
发布历史
-
2024年03月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十四研究所、威凯检测技术有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、国网江苏省电力有限公司
- 起草人:
- 刘秀娟、赵英、张佳宁、曹勇、崔波、龚磊、徐晓轶、刘东月、成先文、霍福广
- 出版信息:
- 页数:52页 | 字数:84 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31.080
CCSL50
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT15651.52024IEC60747-5-52020
半导体器件第部分:
5-5
光电子器件光电耦合器
—
Semiconductordevices
:—
Part5-5OtoelectronicdevicesPhotocoulers
pp
(:,)
IEC60747-5-52020IDT
2024-03-15发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT15651.52024IEC60747-5-52020
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………2
4电特性……………………9
4.1光电晶体管输出型光电耦合器……………………9
4.2光电双向晶闸管输出型光电耦合器或固态光继电器……………10
5具有电击防护功能的光电耦合器………………………11
5.1概述…………………11
5.2类型…………………11
5.3额定值………………11
5.4电气安全要求………………………12
、/()……………………
5.5电气环境和或耐久性测试信息补充信息13
6光电耦合器的测试方法…………………19
6.1电流传输比H()…………………19
Fctr
输入输出电容…………………
6.2-CIO20
输入输出隔离电阻()…………
6.3-RIO20
6.4隔离试验……………21
6.5光电耦合器的局部放电……………22
光电耦合器的集电极发射极饱和电压()…………………
6.6-VCEsat25
光电耦合器的开关时间,……………………
6.7tt27
onoff
6.8峰值关断状态电流I……………28
DRM
6.9峰值导通电压VTM…………………30
6.10直流关断电流I…………………32
BD
6.11直流导通电压VT………………33
6.12维持电流I………………………34
H
关断电压临界上升率/……………………
6.13dVdt34
6.14输入触发电流……………………36
光电耦合器的共模瞬态抑制()测试方法………………
6.15CMTI37
7光控双向闸流晶体管型耦合器的电额定值的测试方法………………39
7.1关断状态重复峰值电压VDRM……………………39
Ⅰ
/—/:
GBT15651.52024IEC60747-5-52020
7.2关断状态直流电压VBD……………40
()/…………………
附录规范性输入输出安全试验
A41
A.1目的………………41
A.2测试电路…………………………41
A.3电路描述…………………………41
A.4注意事项…………………………41
A.5测试步骤…………………………41
A.6规定条件…………………………41
参考文献……………………42
Ⅱ
/—/:
GBT15651.52024IEC60747-5-52020
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
本文件是/的第部分。/已经发布了以下部分:
GBT156515-5GBT15651
———:(/—);
半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件
5GBT156511995
———:(/—
半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件基本额定值和特性
5-2GBT15651.2
2003);
———:(/—);
半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件测试方法
5-3GBT15651.32003
———:(/—);
半导体器件分立器件第部分光电子器件半导体激光器
5-4GBT15651.42017
———:(/—);
半导体器件第部分光电子器件光电耦合器
5-5GBT15651.52024
———:(/—);
半导体器件第部分光电子器件发光二极管
5-6GBT15651.62023
———:(/—)。
半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管
5-7GBT15651.72024
:《:》。
本文件等同采用半导体器件第部分光电子器件光电耦合器
IEC60747-5-520205-5
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
———,“”“”。
范围中删除了注的内容otocouler与hotocouler的英文翻译成中文都是光电耦合器
pppp
。。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。
:、、
本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国电子科技集团公司第四十四研究所威凯检测
、、。
技术有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所国网江苏省电力有限公司
:、、、、、、、、、。
本文件主要起草人刘秀娟赵英张佳宁曹勇崔波龚磊徐晓轶刘东月成先文霍福广
Ⅲ
/—/:
GBT15651.52024IEC60747-5-52020
引言
/,、。
制定GBT15651系列的第5-5部分为光电耦合器产品的测试评价等提供适当的依据
/,
系列的第部分是半导体光电子器件的系列标准主要规定了光电子器件的总体要
GBT156515
、、、、、、
求基本额定值和特性测试方法半导体激光器光电耦合器发光二极管光电二极管和光电晶体管等
、,。
器件的技术要求质量保证规定等内容拟由以下几个部分构成
———:。、、
第部分光电子器件目的在于给出半导体光发射器件半导体光电探测器件半导体光敏
5
、。
元器件内部工作机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准
———:。、
第部分光电子器件基本额定值和特性目的在于给出半导体光电子发射器件半导体
5-2
、、
光电探测器件半导体光敏器件内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基
,。
本额定值和特性用于光纤系统或子系统的除外
———:。,
第部分光电子器件测试方法目的在于给出光电子器件的测试方法用于光纤系统或
5-3
子系统的除外。
———:。、
第部分光电子器件半导体激光器目的在于规定半导体激光器的基本额定值特性及
5-4
测试方法。
———:。、、、
第部分光电子器件光电耦合器目的在于规定光耦合器的术语基本额定值特性安
5-5
全试验及测量方法。
———:。、、
第部分光电子器件发光二极管目的在于规定发光二极管的术语额定值和特性测
5-6
试方法和质量评估方法。
———:。
第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管目的在于规定光电二极管和光电晶体
5-7
、。
管的术语基本额定值和特性以及测量方法
Ⅳ
/—/:
GBT15651.52024IEC60747-5-52020
半导体器件第部分:
5-5
光电子器件光电耦合器
1范围
、、。
本文件规定了光电耦合器的基本额定值特性安全试验及测试方法
2规范性引用文件
。
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
,;,()
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
本文件。
/—环境试验概述和指南(:,)
GBT24212020IEC60068-12013IDT
—、:(:
音视频信息技术和通信技术设备第部分安全要求
GB4943.120221IEC62368-1
,)
2018MOD
注:—被引用的内容与:被引用的内容没有技术上的差异。
GB4943.12022IEC62368-12018
/—:、(:
低压系统内设备的绝缘配合第部分原理要求和试验
GBT16935.120231IEC60664-1
,)
2020IDT
::(—:
环境试验第部分试验方法试验低温
IEC60068-2-12AEnvironmentaltestinPart2-1
g
—:)
TestsTestACold
::(—:
环境试验第部分试验方法试验高温
IEC60068-2-22BEnvironmentaltestinPart2-2
g
—:)
TestsTestBDrheat
y
::()[—
环境试验第部分试验方法试验振动正弦
IEC60068-2-62FcEnvironmentaltesting
:—:()]
Part2-6TestsTestFcVibrationsinusoidal
::(—
环境试验第部分试验方法试验温度变化
IEC60068-2-142NEnvironmentaltesting
:—:)
Part2-14TestsTestNChaneoftemerature
gp
::(
环境试验第部分试验方法试验密封
IEC60068-2-172QBasicenvironmentaltestinro-
gp
—:—:)
ceduresPart2-17TestsTestQSealing
::
环境试验第部分试验方法试验具有引出端的器件的耐焊接热以
IEC60068-2-202-20T
及可焊性试验方法(—:—:
EnvironmentaltestinPart2-20TestsTestTTestmethodsforsolderabilit
gy
)
andresistancetosolderinheatofdeviceswithleads
g
::(
环境试验第部分试验方法试验和导则冲击
IEC60068-2-272EaEnvironmental
—:—:)
testinPart2-27TestsTestEaanduidanceShock
gg
:(
电工电子产品环境试验第部分试验方法试验交变湿热
IEC60068-2-302Db12h+12h
循环)[—:—:,()]
EnvironmentaltestinPart2-30TestsTestDbDamheatcclic12h+12hccle
gpyy
::、
环境试验第部分试验方法试验表面组装元器件可焊性金属化层
IEC60068-2-582-58Td
耐溶蚀性和耐焊接热的试验方法[—:—:
EnvironmentaltestinPart2-58TestsTestTdTestmethods
g
,
forsolderabilitresistancetodissolutionofmetallizationandtosolderinheatofsurfacemountin
ygg
()]
devicesSMD
::(
环境试验第部分试验方法试验恒定湿热试验
IEC60068-2-782CabEnvironmentaltes-
1
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