DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
DB13/T 5695-2023 The testing method for trap effect of GaN HEMT RF device
基本信息
发布历史
-
2023年05月
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研制信息
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内容描述
ICS31.080
CCSL40
13
河北省地方标准
DB13/T5695—2023
GaNHEMT射频器件陷阱效应测试方法
2023-05-06发布2023-06-06实施
河北省市场监督管理局发布
DB13/T5695—2023
目次
前言...............................................................................II
引言..............................................................................III
1范围.............................................................................1
2规范性引用文件...................................................................1
3术语和定义.......................................................................1
4测试原理.........................................................................2
5测试环境.........................................................................2
6测试系统.........................................................................2
7测试步骤.........................................................................3
8试验数据处理.....................................................................4
9试验报告.........................................................................4
参考文献............................................................................6
I
DB13/T5695—2023
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本文件由石家庄市市场监督管理局提出。
本文件起草单位:河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、气派科
技股份有限公司。
本文件主要起草人:卢啸、张博、郭跃伟、闫志峰、郝永利、段磊、王静辉、王鹏、付兴中、
陈勇。
本文件为首次发布。
II
DB13/T5695—2023
引言
GaNHEMT射频器件由于表面效应、缺陷及杂质等影响,使GaNHEMT中广泛存在的表面陷阱电荷
及体陷阱电荷,俘获电子形成虚栅,对沟道二维电子气(2DEG)、电子迁移率产生影响引起电流退
化,进而引起器件电流及功率性能恶化。此现象即为陷阱效应,且普遍存在于GaNHEMT射频器件中。
陷阱效应对器件的性能及可靠性存在重大影响,在民用通信领域,由于栅压脉冲供电条件下的陷阱
效应现象更为明显,导致器件及整机的线性差、效率低、耗能提升、失效率提升等问题,影响运营
商的电力成本及用户通信的清晰度及连贯度。因此在选用GaNHEMT射频器件时宜评估器件的陷阱效
应特性,达到控制器件及整机系统稳定性的目的。特制订本文件。
III
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