19 试验
65 农业
77 冶金
  • SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法 现行
    译:SJ/T 11500-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 现行
    译:SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南 现行
    译:SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 现行
    译:SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 现行
    译:SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范 现行
    译:SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 现行
    译:SJ/T 11496-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 现行
    译:SJ/T 11492-2015 The determination of composition of phosphorus-gallium-arsenic wafers using photoluminescence method
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 现行
    译:SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 现行
    译:SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯 现行
    译:YS/T 1061-2015 Silicon core for polysilicon by improved siemens method
    适用范围:本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料,通过直拉法(CZ)生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 现行
    译:SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 现行
    译:SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 543-2015 半导体键合用铝-1%硅细丝 现行
    译:YS/T 543-2015 Standard specification for fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lead-bonding
    适用范围:本标准规定了半导体器件键合用铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存及质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于半导体内引线用拉制或挤压铝-1%硅细丝(以下简称细丝)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H61轻金属及其合金
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法 现行
    译:SJ/T 11501-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 28-2015 硅片包装 现行
    译:YS/T 28-2015 Package of silicon wafers
    适用范围:本标准规定了硅片的包装。 本标准适用于硅单晶抛光片、外延片、SOI等硅片的洁净包装、硅单晶研磨片(简称硅研磨片)包装和太阳能电池用硅片包装使其在运输、贮存过程中避免再次沾污和破碎。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 现行
    译:SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法 现行
    译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 13-2015 高纯四氯化锗 现行
    译:YS/T 13-2015 High pure germanium tetrachloride
    适用范围:本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01