适用范围：本文件适用于化学气相沉积法（CVD）制备的硫化锌晶体（包括标准硫化锌和多光谱硫化锌），透过波长范围为1μm～14μm。

适用范围：本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

适用范围：本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。

适用范围：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

适用范围：本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。

适用范围：本标准规定了工业硅粉中二氧化硅含量的测定方法。 本标准适用于工业硅粉中二氧化硅含量的测定，测定范围为≥1%。

适用范围：本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。