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译：DB65/T 3486-2013 The infrared inspection method for solar grade multi-crystalline silicon blocks
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料
发布单位或类别：(CN-DB65)新疆维吾尔自治区地方标准 | 发布时间： 2013-10-20 | 实施时间： 2013-12-01
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译：DB65/T 3485-2013 Solar-grade multicrystalline silicon block minority carrier lifetime measurement method
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料
发布单位或类别：(CN-DB65)新疆维吾尔自治区地方标准 | 发布时间： 2013-09-20 | 实施时间： 2013-12-01
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译：DB35/T 1146-2011 Determination of impurity element content in silicon materials using glow discharge mass spectrometry
适用范围：本标准规定了测定硅材料中杂质元素含量的辉光放电质谱法（G D M S )所涉及的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器设备、样品要求、样品要求、分析步骤、结果计算、允许偏差。 本标准适用于纯度不高于99.99999%的硅材料中的杂质元素L i、Be、B、N a、M g、A 1、P、K、T h、U等元素的测定
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料
发布单位或类别：(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间： 2011-04-10 | 实施时间： 2011-07-10
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