适用范围：本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。

适用范围：本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。

适用范围：本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm～200 mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。

适用范围：本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

适用范围：本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

适用范围：本标准规定了氮化镓外延片（以下简称外延片）及氮化镓衬底片（以下简称衬底片）的通用规范，包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件，以及微波与电力电子功率器件。

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。 本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

适用范围：本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷，给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等，或进一步加工成抛光片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶（简称硅单晶）的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。

适用范围：本标准规定了磷化铟多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。本标准适用于生产磷化铟单晶用的磷化铟多晶。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等。 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片，产品用于制作太阳能电池的衬底片。

适用范围：本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化镓单晶抛光片(以下简称砷化镓抛光片)。

适用范围：本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片（以下简称“外延片”）的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。

适用范围：本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因。 本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析。

适用范围：本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。