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被代替
译：GB/T 12965-2005 Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2005-09-19 | 实施时间： 2006-04-01
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被代替
译：GB/T 12962-2005 Monoccrystalline silicon
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2005-09-19 | 实施时间： 2006-04-01
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被代替
译：GB/T 12964-2003 Monocrystalline silicon polished wafers
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2003-06-16 | 实施时间： 2004-01-01
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被代替
译：GB/T 19199-2003 Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2003-06-16 | 实施时间： 2004-01-01
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废止转行标
译：GB/T 8646-1998 Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H81半金属
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-07-15 | 实施时间： 1999-02-01
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被代替
译：GB/T 1555-1997 Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01
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被代替
译：GB/T 17170-1997 Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01
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被代替
译：GB/T 1558-1997 Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01
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废止
译：GB/T 17169-1997 Test method for the surface quality of polished silicon wafers and epitaxial wafers by optical-reflection
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H24金相检验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01
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被代替
译：GB/T 8750-1997 Gold wire for semiconductor devices lead bonding
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H68贵金属及其合金
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01
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被代替
译：GB/T 12963-1996 Polycrystalline silicon
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-11-04 | 实施时间： 1997-04-01
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被代替
译：GB/T 16595-1996 Specification for a universal wafer grid
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-11-04 | 实施时间： 1997-04-01
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被代替
译：GB/T 12962-1996 Monocrystalline silicon
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-11-04 | 实施时间： 1997-04-01
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被代替
译：GB/T 16596-1996 Specification for establishing a wafer coordinate system
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-11-04 | 实施时间： 1997-04-01
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被代替
译：GB/T 12965-1996 Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-11-04 | 实施时间： 1997-04-01
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被代替
译：GB/T 5238-1995 Monocrystalline germanium
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H81半金属
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-10-17 | 实施时间： 1996-03-01
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被代替
译：GB/T 6618-1995 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01
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被代替
译：GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01
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被代替
译：GB/T 6621-1995 Test methods for surface flatness of silicon polished slices
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01
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被代替
译：GB/T 6619-1995 Test methods for bow of silicon slices
【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料
【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01
被代替
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被代替
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废止转行标
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废止
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