适用范围：主要技术内容:本文件规定了电子级氯硅烷绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法和流程。本文件适用于以工业氯硅烷产品为原料，精制提纯而生产的电子级氯硅烷（包含电子级的三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、六氯乙硅烷）绿色设计产品的评价

适用范围：主要技术内容:本文件规定了区熔锗锭绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。本文件适用于以锗精矿、再生锗原料等含锗原料生产的区熔锗锭的绿色设计产品评价

适用范围：主要技术内容:本文件规定了氮化硅粉体绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。本文件适用于直接氮化法生产的氮化硅粉体绿色设计产品的评价

适用范围：主要技术内容:本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。本文件适用于物理气相传输法生产的4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品的评价

适用范围：范围:本文件适用于由有机原料、溶剂、适宜阻聚剂等组分合成经精制后可适用于氟化氩树脂制备用的单体; 主要技术内容:本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第2部分 固体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求

适用范围：范围:本文件适用于集成电路用ArF浸没式光刻胶; 主要技术内容:本文件规定了ArF浸没式光刻胶的要求、试验方法、检测标准及包装、运输、存储

适用范围：范围:本文件适用于集成电路用ArF光刻胶; 主要技术内容:本文件规定了ArF光刻胶的光刻检测要求及方法、检测标准及包装、运输、存储及环保要求

适用范围：范围:本文件适用于由有机原料、溶剂、适宜阻聚剂等组分合成经精制后可适用于氟化氩树脂制备用的单体; 主要技术内容:本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第1部分 液体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求

适用范围：范围:本文件适用于集成电路用 ArF 干式光刻胶; 主要技术内容:本文件规定了 ArF 干式光刻胶的要求、试验方法、检测标准及包装、运输、存储要求

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法; 主要技术内容:本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级

适用范围：范围:本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片; 主要技术内容:本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片

适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。

适用范围：范围:充电桩可以分为7个部分：充电桩壳体、充电枪外壳、插头、插座、断路器、接触器、电源模块外壳、充电桩用电缆，根据上述分部件具体又细分为结构部件、电气部件、电缆等。 本标准规定了充电桩材料的选择标准与性能要求,适用于本公司生产的交直流充电桩各部件材料的选择; 主要技术内容:充电桩可以分为7个部分：充电桩壳体、充电枪外壳、插头、插座、断路器、接触器、电源模块外壳、充电桩用电缆，根据上述分部件具体又细分为结构部件、电气部件、电缆等。本标准规定了充电桩材料的选择标准与性能要求,适用于本公司生产的交直流充电桩各部件材料的选择

适用范围：范围:本标准规定了交直流汽车充电桩主要元器件的术语和定义、技术要求、检测方法等。 本标准适用于本公司生产的交直流充电桩主控板、核心板、灯带控制板、灯带及各系列交流直流充电桩的成品检测。 本标准适用于中国电子装备技术开发协会成员单位; 主要技术内容:本标准规定了交直流汽车充电桩主要元器件的术语和定义、技术要求、检测方法等

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶; 主要技术内容:碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后，在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性，在高温、高压、高频、高功率等电子应用领域和航天、军工、强辐射场等极端环境应用有着不可替代的优势。碳化硅材料已成为全球半导体产业的前沿和制高点，随着碳化硅产业的发展，产业链分工细化是必然的趋势， 会大量出现只专门加工碳化硅晶片的厂家，碳化硅单晶会单独交易，因此有必要单独制定碳化硅单晶标准

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm; 主要技术内容:碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。因此，快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段，确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制，对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义

适用范围：范围:本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片; 主要技术内容:近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。?与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义

适用范围：范围:本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。 本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。 本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/到3000Ω/的范围; 主要技术内容:碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定， 将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力

适用范围：范围:本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。 本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件; 主要技术内容:高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过高引起的较大的漏电流会导致器件的自加热，影响湿气进入封装内部。然而，近几年的研究成果及在实际使用过程中发现，功率器件在高温高湿环境下承受高偏压时失效率明显要更高，现有测试方法已不再满足器件高温高湿耐久性的验证需求。同时，高温高湿反偏测试涉及到温度、湿度、偏压三种应力，而这三种应力的施加方式在AEC-Q101中并未进行详细规定。本项目通过深入研究高温高湿反偏测试中，不同封装器件抵御湿气进入的能力，以及施加高电压对于测试方法的影响，对检测方法和要求进行更具针对性和更为详尽的规定和说明，从而建立一套更为严谨的用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性的检测标准

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。 本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片; 主要技术内容:随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷