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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法

GB/T 32282-2015 Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy

国家标准 中文简体 现行 页数：7页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 32282-2015
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 金属物理性能试验方法
国际标准分类号（ICS）
77.040 金属材料试验
发布日期
2015-12-10
实施日期
2016-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

发布历史

文前页预览

GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法-第1页
GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法-第2页
GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法-第3页

研制信息

起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
起草人：
曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科
出版信息：
页数：7页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS77.040

H21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT322822015

氮化镓单晶位错密度的测量

阴极荧光显微镜法

—

TestmethodfordislocationdensitofGaNsinlecrstal

ygy

Cathodoluminescencesectrosco

ppy

2015-12-10发布2016-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT322822015

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

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