• DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 现行
    译:DB13/T 5695-2023 The testing method for trap effect of GaN HEMT RF device
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2023-05-06 | 实施时间: 2023-06-06
  • T/CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 现行
    译:T/CIE 145-2022 Radiation-induced defect deep level transient spectrum testing method
    适用范围:本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱(DLTS)测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-12-31 | 实施时间: 2023-01-31
  • T/CIE 147-2022 空间行波管加速寿命试验评估技术规范 现行
    译:T/CIE 147-2022 Space traveling wave tube acceleration life test evaluation technical specification
    适用范围:本文件规定了空间行波管加速寿命试验及基于此试验的寿命评估技术规范。 本文件适用于空间行波管的寿命评估。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-12-31 | 实施时间: 2023-01-31
  • GB/T 42210-2022 液晶显示屏用点对点(P2P)信号接口 电参数 现行
    译:GB/T 42210-2022 Point to Point (P2P) signal interface for liquid crystal display panels—Electrical parameters
    适用范围:本文件规定了液晶显示屏用点对点信号接口的电参数,包含发出端电参数、接收端电参数等内容。 本文件适用于液晶显示屏用时序控制器和源极驱动芯片之间的点对点信号通信接口。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-12-30 | 实施时间: 2023-07-01
  • GB/T 42209-2022 液晶显示屏用点对点(P2P)信号接口 传输协议 现行
    译:GB/T 42209-2022 Point to Point(P2P) signal interface for liquid crystal display panels—Transport protocols
    适用范围:本文件规定了液晶显示屏用点对点(P2P)信号接口的传输协议,包含发送端协议、接收端协议、数据包、时钟校准等内容。 本文件中规定了两种传输协议方案: ——传输协议方案一:8位/10位编解码传输协议; ——传输协议方案二:8位/9位编解码传输协议。 本文件适用于液晶显示屏用时序控制器和源极驱动芯片之间的点对点信号通信接口。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-12-30 | 实施时间: 2023-07-01
  • SJ/T 11845.3-2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分:二极管 现行
    译:SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 现行
    译:SJ/T 11866-2022 Semiconductor optical devices on silicon substrate white light power LED specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L45微波、毫米波二、三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11851-2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 现行
    译:SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11874-2022 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序 现行
    译:SJ/T 11874-2022 Stress test procedure for discrete semiconductors used in electric vehicles
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11850-2022 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 现行
    译:SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 现行
    译:SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • DB63/T 2021-2022 市场监管信息技术服务管理规范 现行
    译:DB63/T 2021-2022 Market supervision information technology service management specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :01.040.35信息技术、办公机械设备 (词汇) 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB63)青海省地方标准 | 发布时间: 2022-03-10 | 实施时间: 2022-04-10
  • T/HGMIF 001-2022 绿色设计产品评价技术规范 LED显示屏 现行
    译:T/HGMIF 001-2022 Green Design Product Evaluation Technical Specification LED Display Screen
    适用范围:主要技术内容:根据GB/T 32161《生态设计产品评价通则》及有关要求,LED显示屏的评价指标从产品全生命周期中对资源和能源的消耗、对生态环境和人体健康影响的角度进行选取,包括资源属性、能源属性、环境属性、产品属性指标,按照全生命周期的理念,在产品设计开发阶段系统考虑原材料选用、生产、销售、使用、回收、处理等各个环节对资源环境造成的影响,力求产品在全生命周期中最大限度降低资源消耗、尽可能少用或不用含有害物质的原材料,减少污染物产生和排放,从而实现环保的目的。评价指标设计主要考虑以现执行的国家标准、行业标准为判定依据,根据产品和行业特点,以评价筛选生态设计产品为目的,在测试及征询行业专家、生产厂商意见的基础上,科学、合理地确定指标基准值
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.120电子显示器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-01-04 | 实施时间: 2022-01-05
  • T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法 现行
    译:T/CIE 126-2021
    适用范围:主要技术内容:本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能(可靠性和电学参数等)验证
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-12-23 | 实施时间: 2022-02-10
  • T/WZCH 003-2021 自动盖章模块 现行
    译:T/WZCH 003-2021 Automatic Stamp Module
    适用范围:范围:适用于被盖章纸张幅面不大于A4的各类自助设备中需要实现重复盖章功能的自动盖章模块; 主要技术内容:外观与结构、盖章数量、印章调整范围、印章复位、走纸速度、卡纸提示、油墨提示、盖章要求、电源适应性、瞬时功率、电磁兼容、环境要求
    【国际标准分类号(ICS)】 :35.260办公机械 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-12-20 | 实施时间: 2021-12-31
  • T/CIE 119-2021 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 现行
    译:T/CIE 119-2021 Test method and procedure of atmospheric-neutron induced single event effects in semiconductor devices
    适用范围:本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。 本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用,主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。 本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。 本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-11-22 | 实施时间: 2022-02-01
  • T/CIE 121-2021 逆导型IGBT的热阻测试方法 现行
    译:T/CIE 121-2021 Technical method for thermal resistance test of reverse conducting IGBT(RC-IGBT)
    适用范围:本文件描述了逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件(以下简称器件)的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。 本文件适用于逆导型IGBT器件的热阻测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-11-22 | 实施时间: 2022-02-01
  • T/NLIA 008-2021 透明硬脆材料三维轮廓激光加工规程 现行
    译:T/NLIA 008-2021 Laser processing specification for three-dimensional contours of transparent hard brittle materials
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了对透明硬脆材料三维轮廓激光加工的术语和定义、工艺要求、工艺过程、主要工序及安全防护。 本文件适用于透明硬脆材料三维轮廓的激光加工及系统集成
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.260光电子学、激光设备 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2021-10-08 | 实施时间: 2021-10-10