适用范围：GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时，优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次～10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。 为制定具有可重复性的标准试验程序，选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力，要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。 本试验为破坏性试验，可以用于鉴定、批接收及产品检验。 本试验与IEC 60068-2-20基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法，以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。 本试验是破坏性试验。 本试验总体上符合IEC 60068-2-11，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。 本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验。 本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。 本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序，以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序，用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件,该条件为可选。 除有关文件另有规定外，本试验属于破坏性试验。

适用范围：本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。 本标准适用于各种半导体分立器件。

适用范围：本标准规定了空间科学照明用LED（Light Emitting Diode）筛选项目和程序、筛选方法、参数测量和合格判定。本标准适用于空间科学照明用额定功率1 W和1 W以上封装的单芯LED的筛选，其他功率级别的LED也可参照执行。

适用范围：本标准描述了用半导体制造的微机电系统（MEMS）的总规范，规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程，给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件［如传感器、射频MEMS，但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统（MicroTAS）和微能源MEMS］。

适用范围：本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。

适用范围：本部分适用于下列各类晶闸管： ——（反向阻断）（三极）晶闸管； ——不对称（反向阻断）（三极）晶闸管； ——反向导通（三极）晶闸管； ——双向三极晶闸管； ——门极可关断晶闸管（GTO晶闸管）。 本部分不适用晶闸管浪涌抑制器和双向二极晶闸管。

适用范围：本标准给出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

适用范围：GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验（HAST）方法，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。

适用范围：本标准规定了高压直流输电用光控晶闸管的型号、尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和订货单等技术要求。 本标准适用于内部集成BOD器件的高压直流输电用光控晶闸管系列。

适用范围：本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。

适用范围：本标准规定了高压直流输电用普通晶闸管的型号、尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和订货单等技术要求。 本标准适用于高压直流输电用电触发反向阻断晶闸管系列。

适用范围：本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：本标准给出了以下门类分立器件的标准： ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等） ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等） ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等） ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等） ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）

适用范围：本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。 本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时，必须用这些规范来补充本规范

适用范围：本标准描述了有关传感器规范的基本条款，这些条款适用于由半导体材料制造的传感器，也适用于由其他材料（例如绝缘或铁电材料）所制造的传感器。