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现行
译：GB/T 4023-2015 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2: Rectifier diodes
适用范围：本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-12-31 | 实施时间： 2017-01-01
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现行
译：GB/T 4937.1-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 1:General
适用范围：本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。
当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01
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现行
译：GB/T 4937.2-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 2:Low air pressure
适用范围：本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。
本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01
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现行
译：GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-12-04 | 实施时间： 2003-05-01
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现行
译：GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2000-10-17 | 实施时间： 2001-10-01
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现行
译：GB/T 6351-1998 Semiconductor devices Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes), ambient and case-rated,up to 100A
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01
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被代替
译：GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-07 | 实施时间： 1998-09-01
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现行
译：GB/T 16894-1997 Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-06-28 | 实施时间： 1998-03-01
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现行
译：GB/T 6571-1995 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-07-24 | 实施时间： 1996-04-01
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废止
译：GB/T 15177-1994 Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01
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废止
译：GB/T 15178-1994 Blank detail specification for variable capacitance diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01
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废止
译：GB/T 15137-1994 Blank detail specification for gunn diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-06-25 | 实施时间： 1995-04-01
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废止
译：GB/T 13063-1991 Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1991-07-06 | 实施时间： 1992-03-01
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废止
译：GB/T 12562-1990 Blank detail specification for PIN diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1990-12-06 | 实施时间： 1991-10-01
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废止
译：GB/T 6570-1986 Measuring methods for microwave diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1986-07-22 | 实施时间： 1987-07-01
现行
现行
现行
现行
现行
现行
被代替
现行
现行
废止
废止
废止
废止
废止
废止