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GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

GB/T 21039.1-2007 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:Microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification

国家标准 中文简体 现行 页数：13页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 21039.1-2007
相关服务
商用授权
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L41 半导体二极管
国际标准分类号（ICS）
31.080.30 三极管
发布日期
2007-06-29
实施日期
2007-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体分立器件标准化分技术委员会
适用范围
本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。

发布历史

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GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范-第1页
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范-第2页
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范-第3页
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范-第4页

研制信息

起草单位：
中国电子技术标准化研究所
起草人：
罗发明、刘春勋
出版信息：
页数：13页 | 字数：22 千字 | 开本： 大16开

内容描述

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